TC4451/TC4452
3.0
引脚说明
的引脚说明如表3-1所示。
表3-1：
PIN号
8引脚PDIP ，
SOIC
引脚功能表
PIN号
8引脚DFN
PIN号
5引脚TO- 220
符号
描述
1
2
3
4
5
6
7
8
—
—
1
2
3
4
5
6
7
8
PAD
—
—
1
—
2
4
5
—
3
—
TAB
V
DD
输入
NC
GND
GND
产量
产量
V
DD
NC
V
DD
电源输入， 4.5V至18V
控制输入， TTL / CMOS兼容输入
无连接
地
地
CMOS推挽输出
CMOS推挽输出
电源输入， 4.5V至18V
裸露的金属焊盘
金属片是在V
DD
潜力
3.1
电源输入（ V
DD
)
3.4
地
在V
DD
输入偏置电源MOSFET驱动器
和额定4.5V至18V相对于地面
引脚。在V
DD
输入应被旁路到地
一个本地的陶瓷电容器。电容器的值
应根据该容性负载即选择
被驱动。 1.0的最小值
μF
建议。
该接地引脚是偏置电流的返回路径
而对于高的峰值电流是放电负载
电容。接地引脚应连接到接地
平面或走线极短的偏置电源
来源回报。
3.2
控制输入
3.5
裸露的金属焊盘
MOSFET驱动器输入是高阻抗，
TTL / CMOS兼容输入。输入也有
滞后的高和低之间300毫伏
阈值，以防止输出毛刺甚至当
上升和下降的输入信号的时间是很慢的。
该引脚6x5 DFN封装的裸露金属焊盘不
内部连接到任何潜在的。因此，这
垫可以连接到一个接地平面或其它
在印刷电路板（ PCB）的铜面，以帮助
从器件散热。
3.3
CMOS推挽输出
3.6
金属标签
MOSFET驱动器输出为低阻抗，
CMOS ，推挽式的输出能够驱动的
容性负载12A的峰值电流。该MOSFET
驱动器输出可以承受1.5A的峰值
无论是反极性的电流。
在TO-220封装的金属片连接到
在V
DD
该装置的潜力。此连接到V
DD
可作为用于所述装置的电流承载路径。
2006年Microchip的科技公司
DS21987A第9页
