AS1374
数据表 - D E T A I L E D D E S·C R I P T I O 4 N
8详细说明
图25
示出了AS1374的框图。它确定了采用P沟道MOSFET作为该系列线性稳压器的基础知识
控制元件。一个稳定的参考电压（ REF IN
图25 ）
与输出电压的减毒样品进行比较。任何的区别
两个电压（基准和样本）之间创建来自误差放大器，用于驱动该系列控制元件，以减少输出
差为最小。误差放大器集成额外的缓冲以驱动串联通路的相对大的栅极电容的P
沟道MOSFET ，当需要瞬态条件下的额外的驱动电流。输入电源变化是由一系列的吸收
元件，并且输出电压的变化与负载是由调节器的输出阻抗低所吸收。
8.1输出电压
该AS1374提供预设的输出电压从1.2V到3.6V ，在50mV的增量
（请参阅第17页上的订购信息） 。
8.2启用
图25. AS1374框图
8.3限流
该AS1374包括一个电流限制电路，以监测和控制的P沟道MOSFET的栅极电压，从而限制了
器件输出电流300mA的电流。
Te
c
注意：
SEE
表3第4页上
对于推荐的最小和最大电流限制。该输出可以被短路到地下去而不
导致设备损坏。
8.4热保护
内置温度保护电路，限人数在AS1374的功耗。当结点温度（T
J
）超过+ 160℃时，
热传感器的信号的关断逻辑，关闭在P沟道MOSFET晶体管，并允许该装置进行冷却。热
传感器再次导通传输晶体管的器件的结温滴通过15℃后，产生一个脉冲输出期间连续
热过载条件。
注意：
热保护是为了保护在故障状态下的设备。对于连续运行，不超过
为+ 150℃的绝对最高结温额定值。
www.austriamicrosystems.com/LDOs/AS1374
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
-
EN1
启用逻辑
CH1
+
VIN
热
保护
常见
逻辑
带隙
微调
参考
过电流
保护CH1
过电流
保护CH2
EN2
启用逻辑
CH2
+
AS1374
-
修订版1.8
lv
OUT1
GND
OUT2
该AS1374配备了高电平有效使能模式下关机每个输出独立。驾驶EN 1低禁止输出1 ，驾驶EN 2低
禁止输出2.禁用输出进入高阻抗状态。
al
9 - 18
id
