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AS1364
数据表 - 一个pplication我载文信息
9.3功耗
LDO的最大功率耗散（ PD）是由内部串联的MOSFET的功耗和静态电流的总和
需要偏置内部参考电压和内部误差放大器，并计算为：
PD
最大
Seriespass
=
I
负载
最大
V
IN
最大
–
V
OUT
民
瓦
内部功耗作为偏置电流的内部基准电压和误差放大器的结果被计算为：
（ EQ 5 ）
PD
最大
BIAS
=
V
IN
最大
I
Q
瓦
总LDO功耗的计算公式为：
（ EQ 6 ）
PD
最大
总
=
PD
最大
Seriespass
+
PD
最大
BIAS
瓦
9.4结温
图20.稳态热流等效电路
Te
c
www.austriamicrosystems.com
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
TDFN封装
包
芯片
键合线
引线框架
PCB
裸露焊盘
连接点
T
J
°C
包
T
C
°C
PCB /散热器
T
S
°C
环境
T
A
°C
图19.包的物理安排
R
JC
芯片
动力
R
CS
R
SA
修订版1.8
lv
在所有操作条件下，最高结温不应超过125℃ （除非该数据表专
允许） 。限制最高结温要求结热路径的知识的情况下（
JC
C / W固定由IC
制造商） ，并且调整的情况下向周围的热路径（
CA
C / W ），通过操纵PCB铜面积相邻的IC位置。
al
12 - 19
id
（ EQ 7 ）
