位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第0页 > AS1347-BTDT-3310 > AS1347-BTDT-3310 PDF资料 > AS1347-BTDT-3310 PDF资料1第10页
AS1346-49
数据表 - D E T A I L E D D E S·C R I P T I O 4 N
8.1主控制回路
在正常操作期间，内部顶部功率MOSFET导通时每个周期时，振荡器设定RS锁存器。这个开关被关断
当电流比较器复位RS锁存器。峰值电感电流（I
PK
），在该ICOMP重置RS锁存器，由误差控制
放大器。当我
负载
增加，V
FB
稍微降低相对于内部的0.6V参考电压，使所述误差放大器的输出电压，以
增加，直至平均电感器电流相匹配的新的负载电流。
当高端MOSFET关闭时，底部MOSFET导通直到电感电流开始反向的电流反向指示
比较，或者在下一个时钟周期开始。对瞬态过电压检测比较器警卫转动过冲>7.8 ％
电源开关并保持它关闭，直到瞬间被删除。
8.2短路保护
短路保护断开的电源开关，只要在短路。当被去除短的设备正在继续
正常操作。
8.3差操作
的AS1346 ， AS1347 ， AS1348 ， AS1349通过在100 ％的占空比操作使用的是低输入 - 输出电压差。在这种状态下，
在PMOS始终打开。这与3.3V输出的电池供电的应用是非常有用的。
该AS1346 ， AS1347 ， AS1348 ， AS1349允许输出跟随输入电池电压降至低于调节电压。该
在该状态下的静态电流减小到极小值，这有助于延长电池寿命。此差（ 100％占空比）的操作
通过将整个电池且具有充分利用可获得长的电池寿命。
的输入电压需要维持调节和为输出电压和负载的函数。最小输入之间的差
电压和输出电压被称为压差。因此，电压差是内部PMOS管的导通电阻的函数
(R
DS （ ON） PMOS
）和电感器电阻（DCR） ，这是正比于负荷电流。
注意：
低V
IN
值，则R
DS （ ON）
的P沟道开关增加
（请参阅第4页上的电气特性） 。
因此，功率耗散
化应采取的考虑。
8.4关机
EN连接到GND或逻辑低电平时， AS1346 ， AS1347 ， AS1348 ， AS1349在关断模式，以降低0.1μA的电源电流。
在关断控制电路和所述内部NMOS和PMOS关闭和SW变为高阻断开从所述输入
输出。输出电容和负载电流确定的电压衰减率。对于正常运行EN连接到V
IN
或逻辑高电平。
注意：
EN引脚不应悬空。
8.4.1
电源就绪和低电池侦测功能
LBO变低的启动模式，以及如果在正常操作期间，
- 在LBI引脚上的电压高于LBI阈值（ 1.2V ） 。这可以被用来监视电池电压。
- LBI引脚连接到GND和V
OUT1
低于其标称值的92.5 ％ 。 LBO可以作为这种情况下的电源OK信号。
LBI引脚可以连接到一个电阻分压器监视特定定义的电压，并将其与一个1.2V的内部基准电压进行比较。如果LBI
连接到GND
（见图1第1页）
一个内部电阻分压器被激活，并连接到所述输出。因此，电源就绪
的功能，可实现与没有额外的外部元件。
上电OK功能未激活关闭过程中。为了获得一个逻辑电平输出，从LBO引脚连接一个上拉电阻引脚V
OUT
或V
DD
.
该电阻将有助于最大限度地减少电流消耗较大值;一个100k电阻非常适合大多数应用程序
（参见图18页
11).
在左侧示出的电路
图18第11页，
输入偏置电流成LBI非常低，允许大值电阻分压器网络
同时保持准确度。将电阻分压网络尽可能靠近器件摆放。使用定义的电阻器的R
2
然后计算
R
1
如：
V
IN
（公式1）
R
1
=
R
2
------------ –
1
V
LBI
其中：
V
LBI
（内部检测参考电压）为1.2V 。
万一LBI引脚连接到GND的，内部电阻分压器网络被激活，输出电压与92.5％比较
电压阈值
（见AS1346 - 典型应用电路与POK功能第1页） 。
对于这个特殊的电源就绪应用，不
外部电阻元件（ R1和R2）是必要的。
www.ams.com/DC-DC_Step-Down
修订版1.10
10 - 16
