位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1070页 > SPN2346WS23RGB > SPN2346WS23RGB PDF资料 > SPN2346WS23RGB PDF资料1第3页
SPN2346W
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≥5V,V
GS
=4.5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.0A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=4.0A
V
DS
=15V,I
D
=5.0A
I
S
=1.0A,V
GS
=0V
20
0.4
1.0
±100
1
10
6
0.028
0.036
0.080
30
0.8
0.035
0.040
0.100
1.2
V
nA
uA
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=10V,R
L
=10
I
D
≡1.0A,V
根
=4.5V
R
G
=6
V
DS
=10V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V
I
D
≡5.0A
10
1.4
2.1
600
120
100
15
40
45
30
13
nC
pF
25
60
65
40
ns
2013/03/13
Ver.2
第3页
