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高级技术信息
TrenchT2
TM
GigaMOS
TM
功率MOSFET
IXTK600N04T2
IXTX600N04T2
V
DSS
I
D25
=
=
R
DS （ ON）
≤
40V
600A
1.5m
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
TO- 264 （ IXTK ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
L（ rms）的
I
DM
I
A
E
AS
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C，R
GS
= 1M
短暂
T
C
= 25 ° C（芯片功能）
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
最大额定值
40
40
±
20
600
160
1600
200
3
1250
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
A
A
A
A
J
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
G
D
S
TAB
PLUS247 （ IXTX ）
G
D
S
TAB
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩（ TO- 264 ）
安装力
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
特点
国际标准封装
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS （ ON）
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
40
1.5
3.5
±
200
V
V
nA
应用
的DC- DC转换器和离线UPS
原边开关
高速电源开关
应用
10
A
1毫安
1.5 m
V
GS
= 10V ，我
D
= 100A ，注意事项1 & 2
2009 IXYS公司，版权所有
DS100209(11/09)
