数据表
应用信息
概观
该ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06是高精度，低
漂移10.0 V ， 5.0 V ， 2.5 V和3.0 V基准电压源提供
在一个超紧凑的足迹。 8引脚SOIC封装版本的
设备是插入式的REF01 / REF02 / REF03的替换
插座具有改善的成本和性能。
这些设备是标准的带隙基准电压（参见图34）。
带隙的细胞中含有两个NPN晶体管（ Q18和Q19 ）
通过2 ×不同的发射区。在他们的V的区别
BE
产生一个比例 - 绝对温度电流（ PTAT）的
在R14和，当与V结合
BE
Q19的，产生
带隙电压V
BG
即在温度几乎不变。
与内部运算放大器和R5的反馈网络和
R6 ，V
O
设置正是在10.0 V ， 5.0 V ， 2.5 V和3.0 V的
ADR01 ， ADR02 ， ADR06和ADR03分别。精确
电阻器和其他专有电路的激光微调
技术被用于进一步提高初始精度，
温曲率和ADR01的漂移性能/
ADR02/ADR03/ADR06.
该PTAT电压是由提供的TEMP引脚
ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06 。它有一个稳定的1.96毫伏/°C的
温度系数，以使得用户可以适当地估计
该装置通过知道电压的温度变化
改变在TEMP引脚。
ADR01/ADR02/ADR03/ADR06
ADR03可以从2.3 V调节到2.8 V.调整
输出不显著影响温度性能
该装置的，所提供的电阻的温度系数
器是比较低的。
U1
ADR01/
ADR02/
ADR03/
ADR06
V
IN
C1
0.1F
V
IN
V
OUT
V
O
C2
0.1F
温度微调
GND
图33.基本配置
V
IN
R1
Q1
R2
Q2
Q3
R3
Q23
Q7
Q8
Q9
D1
D2
Q4
D3
R12
R13
Q12
Q13
I1
R20
TRIM
Q14 Q15
2×
Q18
R27
温度
R14
R32
R24
R17
R11
R41
R42
GND
1×
Q19
Q16
Q20
Q17
R6
02747-034
02747-035
R4
Q10
V
O
C1
R5
应用ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06
输入和输出电容器
虽然ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06的设计
功能稳定，无需任何外部元件，连接
0.1 μF陶瓷电容，输出强烈推荐
以改善稳定性和滤除低电平电压噪声。一
额外的1 μF至10 μF电解电容，钽电容或陶瓷
电容器可以并行地加入，以改善瞬态per-
formance响应于负载电流的突然变化;
但是，设计师应该记住，这样做
增加了器件的导通时间。
A 1 μF至10 μF电解电容，钽电容或陶瓷电容可以
也可以连接到输入，以改善瞬态响应
应用程序中，如果电源电压可能波动。一个附加
tional 0.1 μF陶瓷电容应并联连接
以减少电源噪声。摩的输入和输出电容器
尽量靠近器件引脚越好。
V
BG
图34.简化示意图
U1
V
IN
ADR01/
ADR02/
ADR03/
ADR06
V
IN
V
OUT
R1
470k
V
O
锅
10k
温度微调
GND
输出调整
该ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06装饰终端可以使用
以调整输出电压在额定电压。此功能
允许系统设计人员通过设置裁剪系统错误
参考其他的电压低于10.0 V / 5.0 V / 2.5 V / 3.0 V.对于
更精细的调整，增加了470 kΩ的串联电阻。与CON组
在图35中示出成形时， ADR01可以从调整
9.70 V至10.05 V时， ADR02可以从4.95 V调整至
5.02伏， ADR06可以从2.8 V调节到3.3伏，且
图35.可选修剪调整
温度监控
截至概述部分的结尾所述， ADR01 /
ADR02 / ADR03 / ADR06提供一个TEMP输出（引脚1图1
和引脚3在图2中），该线性变化与温度。
这个输出可以被用来监测温度的变化，在
系统。在V的电压
温度
是约550毫伏，在25℃ ，
和温度系数约为1.96毫伏/ ℃的
（参见图36）。 39.2毫伏的TEMP引脚上的电压变化
对应于温度20℃的变化。
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02747-036
R2
1k
