位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1761页 > AT89C51ED2-SLSIM > AT89C51ED2-SLSIM PDF资料 > AT89C51ED2-SLSIM PDF资料1第24页
扩展RAM
（ XRAM ）
该AT89C51RD2 / ED2提供了额外的芯片上随机存取存储器（RAM）的
空间增加数据参数处理和高级语言的使用。
AT89C51RD2 / ED2设备扩展外部数据空间的RAM配置了
到1792字节（见表19 ） 。
该AT89C51RD2 / ED2的内部数据存储器映射成四个独立的部分。
这四个扇形部分是：
1.低128字节的RAM（地址从00h到7F ）可直接或间接地
寻址。
2.高128字节的RAM （地址从80H到FFH ），间接寻址
只。
3.特殊功能寄存器，特殊功能寄存器（地址从80H到FFH ）直接
只有寻址。
4.扩展RAM可通过MOVX指令间接访问，
与EXTRAM位在AUXR寄存器清零（见表19 ） 。
低128字节可用直接或间接寻址方式访问。奕
128字节只能由间接寻址访问。高位128字节的RAM占用
在相同的地址空间的SFR 。这意味着它们具有相同的地址，但
物理上独立的SFR空间。
网络连接gure 8 。
内部和外部数据存储器地址
0FFh的或6FFh
0FFh
上
128字节
国内
内存
间接访问
XRAM
80h
7Fh
低
128字节
国内
内存
直接或间接
访问
00
00
80h
0FFh
0FFFFh
特别
功能
注册
直接访问
外
数据
内存
00FFh单元高达06FFh
0000
当一个指令访问高于地址7Fh的内部位置时， CPU知道
访问是由高128字节的数据RAM或SFR空间
寻址在指令中使用的模式。
使用直接寻址访问SFR空间的指令。例如： MOV
0A0H ， ＃数据访问SFR的位置0A0H （即P2） 。
使用间接寻址访问高位128字节的数据RAM的指令。
例如： MOV @ R0 ， ＃数据，其中R0内容为0A0H ，访问数据字节
在地址0A0H ，而不是为P2（地址为0A0H ） 。
该XRAM字节可以通过间接寻址访问，与EXTRAM位清零
和MOVX指令。这部分的存储器，它在物理上位于片上
逻辑上占用外部数据存储器的第一个字节。该位XRS0和XRS1
用于隐藏可用的XRAM的一部分如表19说明这可以是
24
AT89C51RD2/ED2
4235E–8051–04/04
