恩智浦半导体
BC847系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
400
h
FE
(1)
mgt723
1200
V
BE
（毫伏）
1000
(1)
mgt724
300
800
(2)
200
(2)
600
(3)
(3)
400
100
200
0
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
0
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 150
C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
=
55 C
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
=
55 C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
= 150
C
图1 。
A组：直流电流增益的函数
集电极电流;典型值
10
3
mgt725
图2 。
A组：基极 - 发射极电压的函数
集电极电流;典型值
mgt726
1200
V
BESAT
（毫伏）
1000
(1)
V
CESAT
（毫伏）
800
(2)
10
2
(1)
(2)
(3)
600
(3)
400
200
10
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
0
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 150
C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
=
55 C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
AMB
=
55 C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
= 150
C
图3 。
A组：集电极 - 发射极饱和电压
作为集电极电流的函数;典型
值
图4 。
A组：基射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
BC847_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2012保留所有权利。
产品数据表
启8 - 二〇一二年八月二十〇日
6 18
