电气特性
STx42N65M5
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
650
1
100
100
3
4
0.070
5
0.079
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 16.5 A
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
o(er)(1)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容能源
相关
等效输出
电容时间
相关
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
4650
110
3.2
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 100 V，F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
GS
= 0, V
DS
= 0至80％
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0, V
DS
= 0至80％
V
（ BR ） DSS
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 520 V，I
D
= 16.5 A,
V
GS
= 10 V
（见
图20）
-
100
-
pF
C
O（ TR ）
(2)
-
285
-
pF
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
-
1.1
100
26
38
-
nC
nC
nC
-
-
1. C
O（ ER ）
是一个恒定电容值，使得同一个存储的能量为C
OSS
而V
DS
从0上升
到80 ％的V
DSS
2. C
O（ TR ）
是一个恒定电容值，使得在同一充电时间为C
OSS
而V
DS
从0上升
到80 ％的V
DSS
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