BZG03C-Series

威世半导体

典型特征

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

a)

b)

5

2

1.5

10

2

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

25

25

94 9313

1

I

F

- 正向电流（ A）

0

94 9581

0.5

1.0

1.5

2.0

V

F

- 前进

电压

(V)

图1.主板的R

thJA

定义（铜覆盖35 μ ）

图3.正向电流与正向电压

3

R

thJA

= 25 K / W

2.5

2

1.5

R

thJA

= 100 K / W

1

0.5

0

0

25

50

75

100

125

150

P

ZSM

-

不重复

浪涌电源

耗散（W）的

3.5

P

合计

- 总功耗（ W）

10 000

1000

100

10

0.01

0.1

1

10

100

94 9580

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

94 9582

t

p

- 脉冲宽度（毫秒）

图2.总功率耗散与环境温度

图4.非重复浪涌功耗对比

脉冲长度

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。 （K / W）

1000

100

t

p

/T = 0.5

t

p

/T = 0.2

t

p

/T = 0.1

t

p

/T = 0.05

t

p

/T = 0.02

t

p

/T = 0.01

10

1

10

-5

94 9583

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

t

p

- 脉冲宽度（S ）

图5.热响应

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3

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