M
PL
IA
N
特点
■
极高速性能
■
座高电压和电流
■
两个TBU
在一个小型封装保护
■
简单，出众的电路保护
■
最小PCB面积
■
符合RoHS标准* ， UL认证
BOURNS
型号P500 - G和P850 -G系列
TBU
热休克蛋白是不建议POTS
应用程序。该系列适合用于
需要双双向器件应用
其中， 50欧姆的串联电阻是可以接受的。
对于新的SLIC的应用程序，我们建议
客户评价我们
TBU - PL系列。
*R
oH
S
CO
T
P500 -G和P850 -G系列双TBU
高速保护器
瞬时闭锁装置 - TBU
器件
机构认证
UL认证组件文件号E315805 。
行业标准
描述
Telcordia公司
ITU -T
GR-1089
端口类型2,4
端口类型3,5
模型
P500-G
P850-G
P850-G
BOURNS
型号P500 - G和P850 -G TBU
产品有双
高速双向保护元件，构建
采用MOSFET半导体技术，旨在保护
对造成短路故障，交流电源交叉，
感应和雷电浪涌。
该TBU
高速保护器，作为触发的函数
MOSFET的，潮块，并提供一个有效的屏障
后面这些敏感的电子不暴露于大
在浪涌事件的电压或电流。该TBU
DEVICE IS
在一个表面贴装提供DFN封装，并且符合行业
标准要求，如RoHS和无铅焊料
再溢流廓。
绝对最大额定值（T
AMB
= 25 °C)
符号
V
IMP
V
RMS
T
op
T
英镑
参数
K.20 ， K.20E ， K.21 ， K.21E ， K.45
价值
P500-Gxxx-WH
P850-Gxxx-WH
P500-Gxxx-WH
P850-Gxxx-WH
500
850
300
425
-40至+85
-65到+150
单位
V
V
°C
°C
最大程度的保护电压脉冲断层上升时间
≥
1微秒
最大程度的保护电压的连续V
RMS
故障
工作温度范围
存储温度范围
电气特性（T
AMB
= 25 °C)
符号
参数
最大电流通过器件，不会引起
电流阻断
P500-G120-WH
P500-G200-WH
P850-G120-WH
P850-G200-WH
P500-G120-WH
P500-G200-WH
P850-G120-WH
P850-G200-WH
P500-G120-WH
P500-G200-WH
P850-G120-WH
P850-G200-WH
50
150
275
150
275
200
400
200
400
55
2
1
0.7
22
分钟。
典型值。
马克斯。
100
200
100
200
单位
I
op
mA
I
TRIGGER
典型电流为设备正常运行去
国家为保护状态
mA
I
OUT
R
设备
R
BAL
t
块
I
静
V
RESET
最大电流通过器件
mA
Ω
Ω
s
mA
V
该TBU的串联电阻
设备
线对线两条TBU之间串联电阻差
器件
最大时间为设备从正常工作去
国家为保护状态
电流通过触发TBU
器件具有50伏直流电路
电压
低于该电压触发TBU
设备将过渡到
正常运行状态
在P - G系列TBU
设备是双向的;特定网络连接的阳离子是在两个方向上有效。
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件和RoHS重铸2011/65 / EU 2011年6月8日。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
在此数据表中的设备特性和参数可以做不同在不同的应用程序和设备的实际性能可能会随时间而变化。
用户应当验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
