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AS5145
数据表 - ê lectrical极特
6电气特性
T
AMB
= -40+ 150°C ，V
DD
5V = 3.0-3.6V （ 3V操作）V
DD
5V = 4.5-5.5V （ 5V工作），除非另有说明。也适用于一版
表3.电气特性
符号
工作条件
T
AMB
I
人联党
V
DD
5V
V
DD
3V3
V
DD
5V
V
DD
3V3
V
ON
V
关闭
环境温度
电源电流
引脚V电源电压
DD
5V
电压调节器的输出电压，在销
V
DD
3V3
引脚V电源电压
DD
5V
引脚V电源电压
DD
3V3
上电复位门限
电压;为300mV （典型值） 。滞后
上电复位门限
截止电压;为300mV （典型值） 。滞后
编程电压
编程电压小康水平
编程电流
5V操作
3.3V操作
（引脚V
DD
5V和V
DD
3V3连接）
4.5
3.0
3.0
3.0
1,37
直流供电电压3.3V （V
DD
3V3)
1.08
1.9
2.6
版本H / A / B
-40
16
5.0
3.3
3.3
3.3
2.2
+150
21
5.5
3.6
3.6
3.6
2.9
V
V
V
C
mA
参数
条件
民
典型值
最大
单位
编程条件
V
PROG
V
ProgOff
I
PROG
d
在编程过程中施加的电压
线必须被排出到这个水平
在编程过程中的电流
10μA最大。当前的100mV @
2毫安最大。当前的100mV @
3.3
0
3.6
1
100
V
V
mA
Ω
Ω
R
节目
编程熔断电阻（日志1 ）
R
unprogram
MED
100k
50
∞
100
未设定熔断电阻（日志
0)
直流特性CMOS施密特触发器输入： CLK ， CSN（ CSn为=内部上拉）
V
IH
V
IL
V
离子
V
IOFF
I
泄漏
I
iL
高电平输入电压
低电平输入电压
施密特触发器迟滞
输入漏电流
拉低电平输入电流
只有CLK
CSn为唯一，V
DD
5V: 5.0V
1
-1
-30
0.7 *
V
DD
5V
在编程过程中
3.3
1
-100
正常工作
0.7 *
V
DD
5V
0.3 *
V
DD
5V
V
V
V
A
直流特性的CMOS /程序输入： PDIO
V
IH
V
PROG
V
IL
I
iL
I
OZ
V
OL
1
高电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
V
DD
5V: 5.5V
V
DD
5V
3.6
0.3 *
V
DD
5V
V
V
V
A
30
100
直流特性CMOS输出开漏：为MagINCn ， MagDECn
开路漏极漏电流
低电平输出电压
1
VSS +
0.4
A
V
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修订版1.17
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