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VS- 30CTQ0 ...的PbF系列， VS- 30CTQ0 ...- N3系列
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威世半导体
14
160
允许外壳温度（ ℃）
150
140
130
120
110
100
90
80
见注（ 1 ）
70
60
0
5
10
15
20
25
方
WAVE
(D = 0.50)
80 ％的额定
V
R
应用的
DC
平均功耗（ W）
12
10
8
6
4
2
0
0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
DC
5
10
15
20
25
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（每腿）
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性（每腿）
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
在任何额定负载条件
和
同
评级
V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大非重复浪涌电流（每腿）
L
快速
开关
飞轮
二极管
40HFL40S02
+
V
d
= 25
V
D.U.T.
IRFP460
R
g
= 25
Ω
当前
MONITOR
图。 8 - 非钳位感应测试电路
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 10 V
修订： 11 - OCT- 11
文档编号： 94189
4
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