VO617A
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威世半导体
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
VO617A-1
VO617A-2
VO617A-3
VO617A-4
VO617A-7
VO617A-8
部分
符号
V
F
I
R
C
j
分钟。
1
典型值。
1.35
0.01
13
2
2
5
5
5
5
5.2
80
7
0.25
0.4
0.4
马克斯。
1.65
10
单位
V
μA
pF
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
反向电流
结电容
产量
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 10 V
I
首席执行官
50
50
100
100
100
100
nA
集电极 - 发射极电容
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
耦合电容
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 μA
I
F
= 5毫安，我
C
= 1.0毫安
F = 1 MHz的
C
CE
BV
首席执行官
BV
ECO
V
CESAT
C
C
pF
V
V
V
pF
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
部分
VO617A
VO617A-1
VO617A-2
I
C
/I
F
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V
VO617A-3
VO617A-4
VO617A-7
VO617A-8
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
40
63
100
160
80
130
典型值。
马克斯。
600
80
125
200
320
160
260
单位
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
非饱和
上升和下降时间
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
饱和的
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
I
F
= 5毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 5毫安
t
on
t
关闭
t
r
t
f
6
25
4.6
15
μs
μs
μs
μs
I
F
= 5毫安， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 5毫安， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 5毫安， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
Ω
t
r
, t
f
t
on
t
关闭
f
CTR
2
3
2.3
100
μs
μs
μs
千赫
测试条件
CTR BIN
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2.1版， 10月18日13
文档编号： 83430
3
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