保护功能
VNN1NV04P -E ， VNS1NV04P -E
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保护功能
在正常的操作中，输入管脚电连接到所述内部的栅
通过一个低阻抗路径的功率MOSFET 。
然后该装置的行为类似于标准的功率MOSFET ，并可以被用作从一个交换机
直流到50千赫。从用户的观点来看，唯一的区别是，一个小的直流电流
I
国际空间站
（典型为100μA ）流入输入引脚以提供内部电路。
该器件集成：
●
过电压钳位保护：内部设定为45 V时，随着崎岖雪崩
功率MOSFET级的特性给这个设备无与伦比的耐用性和
能量处理能力。驱动感性时，此功能主要是重要的
负载。
线性电流限制电路：限制漏电流I
D
到我
LIM
无论输入引脚
电压。当限流器是活动的，该设备工作于线状区域，从而
功耗可能超过散热器的能力。这两种情况下，和结
温度提高，而如果这个阶段持续足够长的时间，结温可
达到超过温度阈值T的
JSH 。
过温及短路保护：这些都是基于传感芯片
温度，并且不依赖于输入电压。感测的位置
在功率级区域中的芯片上的元件，确保快速，准确的检测的
结温。超温切发生在范围150 190 ℃，
典型值为170 ℃。该设备会自动重新启动时，芯片
温度降到低于关断温度约15℃ 。
状态反馈：在发生过温故障状态的情况下（T
j
＆ GT ;吨
JSH
），则
设备尝试下沉诊断电流I
gf
通过以指示故障的输入引脚
条件。如果从一个低阻抗源驱动时，该电流可以被使用，以
警告装置关机的控制电路。如果驱动器的阻抗足够高，以便
该输入引脚驱动器不能够供给电流I
gf
，输入引脚将下降到0 V.
这不会但是影响设备的操作：不要求被放置在当前
除了输入管脚驱动器的能力，以便能够提供正常操作驱动器
电流I
国际空间站
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该器件的其他特点是根据人体模型ESD保护
和要被驱动从一个TTL逻辑电路的能力。
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文档ID 15586第2版
