初步数据表
NPN硅外延
双晶体管
特点
低噪音：
NF = 1.2 dB典型值在f = 1 GHz的，V
CE
= 3 V ， LC = 7毫安
高增益：
|S
21E
|
2
= 9.0分贝TYP在f = 1 GHz的，V
CE
= 3 V ， LC = 7毫安
小型封装形式：
在2毫米×1.25毫米× 0.6毫米包2 NE856芯片
2.0
±
0.2
1.3
2
1
UPA821TF
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形TS06
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.65
6
0.22
- 0.05
（所有引线）
+0.10
R81
5
3
4
描述
该UPA821TF有两个内置低电压晶体管哪些
低噪声放大，在VHF到UHF设计
乐队。这两个管芯从上相邻的位置选择
晶圆。这些功能结合引脚配置
使该器件非常适用于平衡或镜像应用。
低噪声系数，高增益和高电流能力划等号
以宽动态范围和优异的线性。更薄
封装形式允许更高密度的设计。
0.6
±
0.1
0.45
0 ~ 0.1
0.13
±
0.05
引脚配置
（ TOP VIEW ）
B1
E2
B2
6
5
4
Q1
1
2
Q2
3
引脚连接
1.收集器（ Q1 ）
2.发射器（ Q1 ）
3.收集器（ Q2 ）
4.基地（ Q2 ）
5.发射器（ Q2 ）
6.基地（ Q1 ）
C1
E1
C2
注意：
销3是确定与在所述封装的底部的圆。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
CRE
|S
21E
|
2
NF
h
FE1/
h
FE2
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益
1
在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
反馈电容
2
在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
h
FE
比，V
CE
= 3 V，I
c
= 7毫安
h
FE1
=小
FE
Q1和Q2之间的价值
h
FE2
= 较大
FE
Q1和Q2之间的价值
注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
当用电容表（自动平衡电桥法） ，与实测2.集电极基极电容
发射极连接到守护的电容表引脚。
GHz的
pF
dB
dB
0.85
7
单位
A
A
70
3.0
4.5
0.7
9
1.2
1.0
2.5
1.5
民
UPA821TF
TS06
典型值
最大
1.0
1.0
140
美国加州东部实验室
