FLM8596-12F
X， Ku波段内部匹配型场效应管
特点
高输出功率： P1dB为40.5dBm = （典型值）
高增益： G1dB = 7.5分贝（典型值）
高PAE ：
η
添加= 25 ％ （典型值）。
低IM3 = -45dBc @宝= 29.5dBm
宽带： 8.5 9.6GHz
阻抗匹配寻/ ZOUT = 50Ω
密封式
描述
该FLM8596-12F是功率GaAs FET的内部匹配的
标准的通信频带，以提供最佳的功率和增益的
50欧姆系统。
Eudyna严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
57.6
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
Eudyna建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过32.0和-5.6毫安分别与
50Ω的栅极电阻。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
在1分贝G.C.P.输出功率
功率增益1分贝G.C.P.
漏电流
功率附加英法fi效率
增益平坦度
三阶互调
失真
热阻
通道温度上升
类型：
IB
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
IDSR
η
添加
G
IM3
RTH
T
ch
F = 9.6千兆赫，
f
= 10 MHz的
2音测试
噘嘴= 29.5dBm S.C.L.
渠道情况
10V X IDSR X的Rth
VDS = 10V ，
IDS = 0.65 IDSS （典型值） ，
F = 8.5 9.6 GHz的，
ZS = ZL = 50欧姆
测试条件
VDS = 5V ， VGS = 0V
VDS = 5V ， IDS = 3600毫安
VDS = 5V ， IDS = 300毫安
IGS = -340μA
分钟。
-
-
-0.5
-5
39.5
6.5
-
-
-
-42
-
-
极限
典型值。马克斯。
6000 9000
5000
-1.5
-
40.5
7.5
-
-3.0
-
-
-
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
mA
%
dB
dBc的
° C / W
°C
3600 4500
25
-
-45
2.3
-
-
±0.6
-
2.6
80
GCP ：增益压缩点， SCL ：单载波水平
1.1版
2004年8月
1
