功能说明
功能
（续）
表1.可编程寄存器指令
1个字节
（注1 ）
7
6
X
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
5
X
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
4
X
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
0
0
3
X
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
2
X
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
从获得
优化
在常规
TP3077SW
节目
7
6
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
2字节
（注1 ）
5
4
3
2
1
0
无
SEE
表2
SEE
表2
SEE
表4
SEE
表4
SEE
表3
SEE
表3
SEE
表8
SEE
表8
SEE
表7
SEE
表7
SEE
表6
SEE
表6
SEE
表6
SEE
表6
单字节上电/下
写控制寄存器
回读控制寄存器
写接口锁存器
阅读界面锁存器
写锁存器方向寄存器
读锁存器方向寄存器
写接收增益寄存器
读取接收增益寄存器
写发送增益寄存器
阅读发射增益寄存器
写接收时间插槽/端口
回读接收时间插槽/端口
写发送时间插槽/端口
回读传送时间插槽/端口
写混合平衡寄存器1
了解混合平衡寄存器1
写混合平衡寄存器2
了解混合平衡寄存器2
写混合平衡寄存器3
了解混合平衡寄存器3
注1 ：
比特字节1和2的7始终是第一位移入或移出的CI ， CO或CI / O引脚。 X =不在乎。
注2 ：
“P”是功率上升/下降控制位，见“上电/下控制”一节。 （ “0” =上电， “ 1 ” =关机）
注3 ：
其它寄存器的地址码是无效的，不应该被使用。
串行控制端口
控制信息和数据被写入或读回
经由组成的串行控制端口COMBO II
控制CCLK时钟，串行数据输入/输出CI / O （或
单独的输入， Cl，和输出，CO对TP3070只） ，并
片选输入CS 。所有的控制指令需要2
字节，如在列
表1
除一个字节的
上电/下命令。 1位用于按下列方法的字节
低点：第7位指定上电或断电;位6 ， 5 ， 4和
3指定寄存器地址; 2位指定是否在 -
梁支被读取或写入;位1指定一个或两个字节IN-
梁支;和第0位未使用。
转移控制数据为COMBO II ， CCLK必须是脉冲8
倍，而CS为低电平。在CI / O数据（或CI ）输入
移入串行输入寄存器上的下降沿
每个CCLK脉冲。所有的数据之后被移入的内容
输入移位寄存器中被解码，并且可以指示
控制数据的第二个字节将随之而来。这第二个字节可能的EI
疗法可以由第二字节宽的CS脉冲或限定可以请遵循
低第一连续，也就是说，它不是强制性的CS重新
打开所述第一和第二控制字节之间高。在
在所述第二控制字节的数据被加载到CCLK8的端
适当的可编程寄存器。 CS可以保持较低水平
连续编程时连续的寄存器，如果DE-
sired 。然而， CS应置高电平，当没有数据传输
FERS正在进行中。
从接口读回锁存数据或状态信息
COMBO II ，适当的指令的第一个字节是
5
选通在CS为低时，如定义
表1中。
CS必须
保持在较低水平，或采取低再进行进一步的8 CCLK周期，
在此期间，该数据被转移到CO或CI / O引脚
CCLK的上升沿。当CS为高电平时， CO或CI / O
引脚处于高阻抗三态，使CI / O
许多设备的引脚被复用在一起。
如果CS任一字节1或2个字节之前的所有期间返回高
该字节的8 CCLK脉冲出现，无论是位计数和
字节计数复位和寄存器内容不受影响。
这可以防止同步丢失的控制接口
以及寄存器中的数据损坏，由于处理器接口
中断或其它问题。当CS再次返回低电平，单片机
副会准备好接受一点新指令的字节1 1
化。
可编程功能
1.0 POWER- UP / DOWN控制
继上电初始化，上电和掉电
控制可以通过编写任何控件来实现IN-
structions上市
表1
进入COMBO II的“ P”位设置
为“0”为电或“1”为掉电。一般而言，这是消遣
ommended所有的可编程功能得到初步亲
在设备断电编程。电源状态
控制然后可以将包含在最后的编程IN-
梁支或独立的单字节指令。任何的
可编程的寄存器，也可以同时DE-改性
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