三菱N沟道功率MOSFET
FY14AAJ-03F
高速开关使用
电气特性
（总胆固醇= 25 ℃）下
符号
参数
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
G
=
±100A,
V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 14A ，V
GS
= 10V
I
D
= 7A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 7A ，V
GS
= 4V
I
D
= 14A ，V
GS
= 10V
I
D
= 14A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
测试条件
范围
分钟。
30
±20
—
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
1.5
6.5
8.8
10.0
0.091
30
2600
750
350
22
22
60
22
53
6
15
0.75
—
40
马克斯。
—
—
0.1
±10
2.0
8.1
12.0
14.0
0.113
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.10
54.3
—
单位
V
V
mA
A
V
m
m
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
° C / W
ns
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
V
（ BR ） GSS
栅源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
| y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
R
第（章-a）的
t
rr
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 15V ，我
D
= 7A ，V
GS
= 5V ，R
G
= 5
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V ，我
D
= 14A
I
S
= 2.1A ，V
GS
= 0V
通道的空气
I
S
= 2.1A ，D
is
/d
t
= -50A /微秒
2001年9月
