位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第698页 > SQD40N06-14L-GE3 > SQD40N06-14L-GE3 PDF资料 > SQD40N06-14L-GE3 PDF资料1第1页
SQD40N06-14L
www.vishay.com
Vishay Siliconix公司
汽车N沟道60 V （D -S ）， 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
60
0.014
0.017
40
单身
D
特点
TrenchFET
功率MOSFET
低热阻封装
AEC- Q101标准
d
100 % R
g
和UIS测试
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
TO-252
SQD40N06-14L-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（二极管传导）
a
漏电流脉冲
b
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
a
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
40
29
40
160
32
51
75
25
- 55 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
笔记
一。包装有限。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
60
2
单位
° C / W
S12-1846 -REV 。 B， 30 -JUL- 12
文档编号： 67002
1
如有技术问题，请联系：
automostechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
