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SPICE器件模型Si7840BDP
Vishay Siliconix公司
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规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
a
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 16.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 13 A
1.8
684
0.0070
0.0084
17
0.74
0.0070
0.0084
60
0.75
V
A
S
V
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
a
a
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 16.5 A
I
S
= 3.7 A，V
GS
= 0 V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 16.5 A
13
6
3.5
14
6
3.5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 73244
04-Dec-04
