位置:首页 > IC型号导航 > 首字符Q型号页 > 首字符Q的型号第46页 > QKB2532-P1108-F > QKB2532-P1108-F PDF资料 > QKB2532-P1108-F PDF资料1第60页

FPQ 2016年
恒芯
C
1
( NH)
(mm
-1
)
3800±25%
0.61
* 1kH 1毫安0.4 100T (气隙0 )
AL *
有效截面积
Ae
(mm
2
)
62
有效磁路长度
Re
(mm)
37.4
有效容积
Ve
(mm
3
)
2310
剖面中心站区
ACP
(mm
2
)
61
芯的截面缠绕区
ACW
(mm
2
)
47.4
重量
(G /套)
13
形状和尺寸
20.9
–0.8
17.6
–0
9.0
+0.8
+0
–0.4
+0
12.0
–0
8.2
–0.2
8.2
–0.2
5.0
–0
5.0
–0
+0.3
+0.3
+0
+0
14.4
–0.8
+0
[mm]
AL值
与总长度差距
10000
10000
直流预磁化特性
23°C
100°C
GAP 0
AL ( NH)
1000
1000
AL ( NH)
GAP 0.1
GAP 0.2
GAP 0.5
100
100
GAP 1.0
10
0.01
0.1
1.0
10
10
0.1
1
10
100
1000
空气间隙长度(mm)
NI ( AT)的
f=100kHz
10
磁芯损耗与磁通密度
10
磁芯损耗与频率的关系
BM: 200 (MT )
1
1
PC(瓦特)
PC(瓦特)
0.1
23°C
60°C
23°C
0.1
60°C
100
100°C
100°C
0.01
0.01
0.001
50
100
200
300
500
0.001
20
50
100
150
200
磁通密度BM (MT )
频率(kHz )
铁氧体磁芯VOL.05
60
●在对本产品目录及生产状况的所有规格如有变更,恕不另行通知。在此之前的购买,请联系NEC TOKIN更新的产品数据。
●请要求的规格表之前购买产品的详细资料。
●使用本产品在此目录之前,请仔细阅读"Precautions"和印刷版目录中所列的其他安全防范措施。
9603FERVOL05E1001T0