LTC3770
应用S我FOR ATIO
基本LTC3770应用电路示于
图12.外部元件的选择主要是DE-
由最大负载电流termined和开头
该检测电阻和功率MOSFET的选择
开关。该LTC3770采用任何一个检测电阻器或
导通电阻的同步功率MOSFET的
确定电感器电流。所需量的
纹波电流和工作频率在很大程度上阻止 -
矿山电感值。最后，C
IN
被选择用于其
处理能力RMS电流大到转换器
和C
OUT
选择具有足够低的ESR ，以满足
输出电压纹波和瞬变规范。
最大感应电压和V
RNG
针
电感器的电流，通过测量电压来确定
跨越了SENSE之间出现一个检测电阻
–
（ PGND在G封装）和SENSE
+
（在G封装SW ）
销。最大检测电压由电压设定
施加于V
RNG
销和大约等于
(0.133)V
RNG
。电流模式控制回路不会允许
电感电流山谷超过（ 0.133 ）V
RNG
/R
SENSE
.
在实践中，应该允许一定的余量的变化
在LTC3770和外部元件值和良好的
指导来选择检测电阻为：
R
SENSE
=
V
RNG
10 I
输出（最大）
ρ
T
归一化的导通电阻
从INTV一个外部电阻分压器
CC
可用于
设置在V的电压
RNG
0.5V和2V之间的引脚
导致50mV的名义检测电压至200mV 。
另外，在V
RNG
引脚可连接到SGND或INTV
CC
在这种情况下，标称感测电压默认为50mV的
或200mV的分别。允许的最大意义
电压大约是1.33倍这一标称值。
连接SENSE
+
和SENSE
–
引脚
该LTC3770进来UH和G封装。在UH
封装集成电路可用于有或没有一个检测电阻器。
当使用一个检测电阻，将其放置在源极之间
底部的MOSFET ，M2和PGND 。连接
SENSE
+
和SENSE
–
引脚的顶部和底部
检流电阻。采用一个检测电阻器提供了一个良好
定义的电流限制功能，但增加了成本，降低了效率。
另外，可以消除感测电阻器和使用
U
底部MOSFET作为由电流检测元件
只需连接SENSE
+
引脚和SW引脚和
SENSE
–
引脚至PGND 。这提高了效率，但一
必须仔细选择导通电阻的MOSFET作为显示
下面讨论过。
功率MOSFET选择
该LTC3770需要两个外部N沟道功率
的MOSFET ，一个用于顶部（主）开关和一个用于
底部（同步）开关。重要参数
功率MOSFET的击穿电压V
（ BR ） DSS
,
阈值电压V
（ GS ）个
上，电阻R
DS （ ON）
，反
传输电容C
RSS
和最大电流I
DS （ MAX）
.
的栅极驱动电压由5V INTV设置
CC
供应量。
因此，逻辑电平阈值的MOSFET必须
在LTC3770应用中使用。如果输入电压是
预计将低于5V ，然后再转逻辑电平阈值
MOSFET的应予以考虑。
当下面的MOSFET被用作电流感测
元素，特别要注意它的导通
性。通常指定的MOSFET的导通电阻
具有最大R值
DS （ ON） （ MAX ）
在25℃ 。在这种情况下，
追加保证金要求，以适应上升
MOSFET的导通电阻随温度：
R
DS （ ON） （ MAX ）
=
R
SENSE
ρ
T
W
U
U
该
ρ
T
术语是归一化因子（统一在25℃下）
占显著变化的导通电阻
2.0
1.5
1.0
0.5
0
– 50
50
100
0
结温（ ° C）
150
3770 F01
图1。R
DS （ ON）
与温度
3770f
11
