添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第764页 > MT47H16M16BG-3ITB > MT47H16M16BG-3ITB PDF资料 > MT47H16M16BG-3ITB PDF资料1第7页
256MB : X4,X8 , X16 DDR2 SDRAM
特点
表格清单
表1 :关键时序参数....................................................................................................................... 1
表2 :解决......................................................................................................................................... 2
表3 : FBGA 60球 - x4,x8和84球 - X16说明................................ .......................................... 16
表4 :输入电容............................................................................................................................ 20
表5 :绝对最大额定直流电压......................................................................................................... 21
表6 :温度范围.......................................................................................................................... 22
表7 :热阻抗......................................................................................................................... 23
表8 :一般我
DD
参数..................................................................................................................... 24
表9 :我
DD7
时序模式( 4 -行交错读取操作) ........................................ ......................... 24
表10: DDR2的我
DD
规格和条件............................................... .......................................... 25
表11 : AC操作规范和条件.......................................... .......................................... 27
表12 :建议的直流工作条件( SSTL_18 ) ........................................ ................................ 39
表13 : ODT DC电气特性........................................... .................................................. ...... 40
表14 : DC输入逻辑电平..................................................................................................................... 41
表15 : AC输入逻辑电平...................................................................................................................... 41
表16 :差分输入逻辑电平......................................................................................................... 42
表17 :差分交流输出参数........................................... .................................................. ...... 44
表18 :输出直流电流驱动................................................................................................................ 44
表19:输出特性.................................................................................................................... 45
表20 :全强度下拉电流(mA ) ..................................... .................................................. ..... 46
表21 :全力量上拉电流(mA ) ..................................... .................................................. .......... 47
表22 :降低强度下拉电流(mA ) ..................................... ................................................ 48
表23 :降低强度上拉电流(mA ) ..................................... .................................................. .. 49
表24 :输入钳位特性............................................................................................................ 50
表25 :地址和控制球................................................................................................................ 51
表26 :时钟,数据,选通和面具球...................................... .................................................. ......... 51
表27 : AC输入测试条件................................................................................................................ 52
表28 : DDR2-400 / 533建立时间和保持时间降额值(
t
IS和
t
1H) ................................................ .... 54
表29 : DDR2-667 /一千○六十六分之八百建立和保持时间降额值(
t
IS和
t
1H) ........................................... 55
表30 : DDR2-400 / 533
t
DS ,
t
DH降额值与差分DQS ............................................ .......... 58
表31 : DDR2-667 /一千○六十六分之八百
t
DS ,
t
DH降额值与差分DQS ............................................ 59
表32 :单端DQS转换率降额值使用
t
DS
b
t
DH
b
................................................... 60
表33 :单端DQS转换速率完全降额( DQS , DQ在V
REF
)的DDR2-667 ...................................... 60
表34 :单端DQS转换速率完全降额( DQS , DQ在V
REF
)在DDR2-533 ...................................... 61
表35 :单端DQS转换速率完全降额( DQS , DQ在V
REF
)在DDR2-400 ...................................... 61
表36 :真值表 - DDR2命令...................................................................................................... 66
表37 :真值表 - 当前国家银行
n
- 命令行
n
................................................................ 67
表38 :真值表 - 当前国家银行
n
- 命令行
m
............................................................... 69
表39 :最小延迟与自动预充电已启用......................................... ........................................ 70
表40 :突发定义.............................................................................................................................. 74
表41 :读取使用并发自动预充电.......................................... ................................................ 94
表42 :编写使用并发自动预充电.......................................... ............................................. 100
表43 :真值表 - CKE .......................................................................................................................... 115
PDF : 09005aef8117c187
256MbDDR2.pdf - 牧师 7/11 EN
7
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2003美光科技公司保留所有权利。

深圳市碧威特网络技术有限公司