SN65HVD888
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SLLSEH3 - 2013年7月
1000
100
浪涌
10
脉冲能量 - 焦耳
1
EFT脉冲串
0.1
0.01
EFT
10
-3
10
-4
ESD
10
-5
10
-6
0.5
1
2
4
6
8 10
15
峰值脉冲电压 - 千伏
瞬态能量的图19的比较
表2.材料清单
设备
XCVR
R1, R2
TVS
TBU1 ， TBU2
MOV1 ， MOV2
VCC
10k
RXD
MCU
DIR
TXD
1
2
3
4
功能
5 -V ， 250 - kbps的RS- 485收发器
10 Ω ，脉冲型厚膜电阻
双向400 -W瞬态抑制器
双向的。
200毫安瞬时闭锁单元200 -V ，金属 -
氧化物压敏电阻
订单号
SN65HVD888
CRCW0603010RJNEAHP
CDSOT23-SM712
TBU-CA-065-200-WH
MOV-10D201K
VCC
生产厂家
TI
日前，Vishay
BOURNS
BOURNS
BOURNS
VCC
VCC
A
XCVR
B
GND
8
7
6
5
0.1μF
10k
R1
TVS
MCU
DIR
TXD
R2
RXD
1
2
3
4
VCC
VCC
A
XCVR
B
GND
8
7
6
5
0.1μF
R
RE
DE
D
R
RE
DE
D
R1
TVS
TBU1
MOV1
MOV2
R2
TBU2
10k
10k
图20.瞬态保护防ESD， EFT和浪涌瞬变
中示出的左侧电路
图20
提供浪涌保护
≥
500 -V瞬态，而权利保护
电路可承受5 kV的浪涌瞬变。
版权所有 2013年，德州仪器
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