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设备特点
MM3ZxxVC系列
图1典型正向电压为
Fig.2
齐纳电压的齐纳阻抗效应
250
电源PASSIPATION ,MW
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
温度
]
图3功耗VS.环境温度。
Fig.4
典型电容
图5齐纳击穿特性
图6齐纳击穿特性
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3
REV.02 20110725

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