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21201 Itasca的街查茨沃斯
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特点
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
MBR1020
THRU
MBR10100
10 AMP
肖特基势垒
整流器器
20至100伏特
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
数
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
TO-220AC
B
C
K
L
M
D
A
针
1
2
MBR1020
MBR1030
MBR1035
MBR1040
MBR1045
MBR1060
MBR1080
MBR10100
MBR1020
MBR1030
MBR1035
MBR1040
MBR1045
MBR1060
MBR1080
MBR10100
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
E
F
G
I
H
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MBR1020-1045
MBR1045-1060
MBR1080-10100
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
MBR1020-1045
MBR1060-10100
典型结
电容
I
F（ AV ）
I
FSM
10A
150A
T
C
= 125°C
8.3ms的，半正弦
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
销1
销2
例
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
V
F
.84V
.95V
.84V
I
FM
= 20 A MPER
T
A
= 25°C
I
FM
= 10 A MPER
IR
0.1毫安牛逼
J
= 25°C
0.15mA
400pF
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
C
J
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