TQ8213
初步数据表
参数
电源电压
内置VCO的电源电压
输出级电源
输入/输出
TSTG ，储存温度
符号
VDD - V型
VOSC
VDRIVE
民
0
VEE-0.5
VDD-0.5
VEE-0.5
-55
最大
7
VDD+0.5
VDD+5.0
VDD+0.5
150
125
150
1000
单位
V
V
V
o
C
o
C
o
C
TC，最高外壳工作温度
TJ ，最高结温
静电放电（ 100 pF的， 1.5千欧）
V
注意事项：
1.内部VCO规范适用于当Tc为操作范围内。内部VCO是运营降至-20
o
表3.直流工作电压范围
信号
VDD - V型
（注1 ）
VOSC
（注1 ）
PLLVDD - PLLVEE
（注1 ）
VDRIVE
（注1 ）
符号
V
DD
-V
EE
V
OSC
I
OSC
P
VDD
-P
VEE
I
PLL
V
DRIVE
I
DRIVE
T
c
参数
电源电压范围
内置VCO供应
电源电流内部VCO
PLL供电电压
电源电流内部VCO
输出级电源
电源电流输出级
测定的情况下壳体温度
民
4.75
-
-
+5.0
-40
典型值
5.00
VDD
14
VDD
+10
最大
5.25
-
-
40
+10.5
150
125
单位
V
V
mA
V
mA
V
mA
o
C
注意事项：
1.
2.
没有特殊的上电顺序是必需的。
VEE在工作范围内。
表4.功耗
低速输出
开放
开放
开放
开放
开放
开放
开放
开放
满载
国防部驱动电流（mA ）
0
0
20 （注1 ）
20
60
60
75
75
0
Vdd的（V）的
5.0
5.25
5.0
5.25
5.0
5.25
5.0
5.25
5.0
VDRIVE （ V）
5.0
5.25
5.0
5.0
6.75
6.75
10.5
10.5
-
4.72
典型功率（W ）
最大功率（W）的
3.33
4.06
3.51
4.24
3.96
4.69
4.62
5.35
3.53
注意事项：
1.使用朗讯D- 372激光调制电流为20 mA会产生光功率3 dBm的。
11
电信
制品
V
SONET / SDH / ATM
制品
表2.绝对最大额定值
