LTC2270
引脚功能
是相同的所有数字引脚
输出模式
V
DD
（引脚1 ， 16 ， 17 ， 64 ） ：
模拟电源， 1.7V至
1.9V 。旁路至地0.1μF的陶瓷电容。
相邻引脚可以共享一个旁路电容。
V
CM1
（引脚2 ） ：
共模偏置输出，名义上是平等的
到V
DD
/2. V
CM1
应该用来偏置共模
模拟量输入通道1旁路至地
一个1μF的陶瓷电容。
GND（引脚3，6， 14）：
ADC电源地。
A
IN1+
（引脚4 ） ：
通道1正差分模拟
输入。
A
IN1–
（引脚5 ） ：
通道1负的差分模拟
输入。
REFH （引脚7,9 ） ：
ADC参考。请参阅应用
对于推荐的旁路系统蒸发散信息部分
电路的REFH和REFL 。
REFL （插针8,10） ：
ADC参考低。请参阅应用
对于推荐的旁路系统蒸发散信息部分
电路的REFH和REFL 。
PAR / SER （引脚11 ） ：
编程模式选择引脚。 CON-
NECT到地能串行编程模式。
CS ，
SCK ， SDI ， SDO成为控制串行接口
在A / D工作模式。连接到V
DD
使
并行编程模式，
CS ，
SCK ， SDI ， SDO
成为平行的逻辑输入，用于控制一组减少
在A / D工作模式。 PAR / SER应该连接
直接接地或V
DD
并且不能由一个逻辑信号驱动。
A
IN2
（引脚12 ） ：
通道2正差分模拟
输入。
A
IN2–
（引脚13 ） ：
通道2负的差分模拟
输入。
V
CM2
（引脚15 ） ：
共模偏置输出，名义上
等于V
DD
/2. V
CM2
应该用于偏压的共同
模拟输入模式，通道2旁路至地
用一个1μF的陶瓷电容。
+
ENC
+
（引脚18 ） ：
编码输入。转换开始于
上升沿。
ENC
–
（引脚19 ） ：
补编码输入。转变
开始下降沿。领带GND为单端
编码模式。
CS
（引脚20 ） ：
在串行编程模式（ PAR / SER =
0V),
CS
是串行接口芯片选择输入。当
CS
低， SCK启用SDI上的数据转移到
模式控制寄存器。在并行编程模式
（ PAR / SER = V
DD
),
CS
控制时钟占空比稳定器
（见表2）。
CS
可驱动1.8V至3.3V逻辑。
SCK （引脚21 ） ：
在串行编程模式（ PAR / SER =
0V ） ， SCK是串行接口的时钟输入。在并行
编程模式（ PAR / SER = V
DD
） ， SCK控制
数字输出方式。 （见表2）。 SCK来驱动
1.8V至3.3V逻辑。
SDI （引脚22 ） ：
在串行编程模式（ PAR / SER =
0V ） ， SDI是串行接口数据输入。在SDI数据
移入模式控制寄存器的上升
SCK的边缘。在并行编程模式（ PAR /
SER
= V
DD
），SDI可以一起使用SDO到功率使用
向下的部分（见表2）。 SDI可驱动1.8V
至3.3V逻辑。
OGND （引脚41 ） ：
输出驱动器接地。必须短
由一个非常低的电感路径接地平面。利用
多个过孔靠近引脚。
OV
DD
（引脚42 ） ：
输出驱动器电源。旁路到地
用一个0.1μF的陶瓷电容。
SDO （引脚61 ） ：
在串行编程模式（ PAR / SER
= 0V ） ， SDO是可选的串行接口数据输出。
在SDO数据从模式控制寄存器回读
存器和可锁定在SCK的下降沿。 SDO
是漏极开路NMOS输出，需要一个外部
2K上拉电阻为1.8V - 3.3V 。如果从读回
控制寄存器是不需要的模式中，上拉电阻
没有必要和SDO可以悬空。在
并行编程模式（ PAR / SER = V
DD
） ， SDO可以
一起使用SDI断电的一部分（见
表2）。当作为输入使用时， SDO可驱动
通过1K串联电阻1.8V至3.3V逻辑。
2270f
11
