LTC3835
手术
主控制回路
的LTC3835采用恒定频率，电流模式
降压架构。在正常操作期间，该
外部高端MOSFET导通时，时钟设置
RS锁存器，并断开主电流compara-时
器， ICMP重置RS锁存器。峰值电感电流
,
在此ICMP跳闸并复位锁存器被控制
在I上的电压
TH
销，这是错误的输出
放大器EA 。误差放大器作比较的输出电压
在V岁时反馈信号
FB
销， （这是与生成
外部电阻分压器跨接在输出连接
电压，V
OUT
，接地）到内部0.800V参考
电压。当负载电流增加时，它会导致轻微的
减小V
FB
相对于上述基准，这会导致
EA来增加我
TH
电压，直到平均电感
电流相匹配的新的负载电流。
后顶部MOSFET被关断每个循环中，所述底部
MOSFET导通直到电感电流开始
扭转，当前比较IR指示，或
在下一个时钟周期的开始。
INTV
CC
/ EXTV
CC
动力
功率为顶部和底部MOSFET驱动器和最
其它内部电路从INTV衍生
CC
引脚。
当EXTV
CC
引脚开路或连接到一个电压小于
超过4.7V ，内部5.25V低压差线性稳压器
供应INTV
CC
从V电源
IN
。如果EXTV
CC
在采取以上
4.7V ， 5.25V的调节器处于关闭状态和一个7.5V的低
差线性稳压器被启用，它提供INTV
CC
从EXTV电源
CC
。如果EXTV
CC
比7.5V以下（但
大于4.7V ） ，在7.5V调节器处于辍学率和
INTV
CC
近似等于EXTV
CC
。当EXTV
CC
大于7.5V （最多到绝对最大额定值
10V ） ， INTV的
CC
调节到7.5V 。使用EXTV
CC
引脚允许INTV
CC
功率可以从一个高衍生
EF网络效率的外部源等为一体的LTC3835的
开关稳压器的输出。
高端MOSFET驱动器从浮动自举偏置
电容C
B
，通常每个偏移期间充电
循环通过外部二极管上时， MOSFET
关闭。如果输入电压V
IN
减小到一个电压
（参见原理图）
接近V
OUT
，循环可以进入辍学并尝试
连续地接通高端MOSFET 。辍学
检测器检测到这一点，并迫使高端MOSFET关闭
约十二分之一的时钟周期的每个周期的十分之一到
让
B
充电。
关机与启动（ RUN和TRACK / SS引脚）
该LTC3835可以使用RUN引脚关断。拉
这个引脚低于0.7V关闭的主控制回路
控制器。低禁用控制器和内部最
电路，包括INTV
CC
调节器，在该时间的
静态电流的LTC3835仅消耗10μA 。
释放RUN引脚允许一个内部电流0.5μA
拉起脚，使该控制器。另外，
在RUN引脚可被外部上拉或直接驱动
通过逻辑。要注意不要超过最大
7V对这个引脚的评价。
启动的输出电压V的
OUT
通过控制
在TRACK / SS引脚上的电压。当在电压
在TRACK / SS引脚低于0.8V内部基准，
该LTC3835调节V
FB
电压到TRACK / SS
脚电压，而不是0.8V基准。这使得
在TRACK / SS引脚可用于编程软启动
从TRACK / SS引脚连接一个外部电容
到SGND 。内部1μA的上拉电流这项收费
电容打造的TRACK / SS引脚上的电压斜坡。
由于TRACK / SS电压线性上升，从0V到0.8V
（外）时，输出电压V
OUT
平稳上升
从零到其网络连接最终值。
可替换地， TRACK / SS引脚可用于使
启动第五
OUT
以“跟踪”是另一个供应。通常情况下，
这需要连接到TRACK / SS引脚上的外部
从其他电源到地的电阻分压器（见
应用信息部分） 。
当RUN引脚被拉低禁用LTC3835 ，或
当V
IN
低于其欠压锁定阈值
3.5V时， TRACK / SS引脚被拉低的内部
MOSFET。当欠压锁定，控制器
残疾人和外部MOSFET保持关闭。
3835fd
10
