LTC3602
应用信息
V
OUT
V
X
V
FB
R
TB
LTC3602
TRACK / SS
R
TA
3602 F05a
R
B
在V
IN
工作电流损耗占主导地位的英法fi效率损失
在非常低的负载电流，而余
2
损失占主导地位
在介质中的英法fi效率损失高负载电流。
1. V
IN
工作电流由三部分组成：
直流电源电流在电气煤焦定
Cucumis Sativus查阅全文，内部MOSFET的栅极充电电流
与内部上部MOSFET开关损耗。该
MOSFET的栅极电荷开关目前的结果
内部功率MOSFET开关的栅极电容。
这些开关的栅极被从INTV从动
CC
供应量。每次栅极从高切换到
从低到高再充一包dQ的来自移动
INTV
CC
到地面。所得dQ的/ dt是电流
出了INTV
CC
这通常比DC偏置较大
电流。在连续模式中，在栅极的充电电流
可以通过我来近似
GATECHG
= F（ 9.5nC ） 。自从
INTV
CC
电压从V产生
IN
由一个线性稳压
器，目前正在内部从INTV画
CC
供应可以被视为V
IN
电流为目的的
英孚网络效率方面的考虑。
转换损耗仅适用于内部顶侧
MOSFET和更加突出，在较高的输入
电压。转换损耗可以从估算：
过渡损耗= （ 1.7 ）V
IN2
I
O（最大值）
（ 120pF ） F
2. I
2
损失由的电阻计算
内部开关，R
SW
和外部电感
L
。在
连续模式下，平均输出电流超欠佛罗里达州
通过电感L的主体之间的“斩”
开关和同步开关。因此，该系列
阻力寻找到SW引脚是两者的功能
顶部和底部的MOSFET
DS （ ON）
和占空比
（直流）如下：
R
SW
= (R
DS （ ON） TOP
）（直流） + P（R
DS （ ON） BOT
）（ 1 - 直流）
第r
DS （ ON）
对于顶部和底部的MOSFET可以
从典型性能特征得到
曲线。因此，为了获得我
2
损失，只需加上R
SW
to
R
L
和由平均的平方相乘的结果
输出电流：
I
2
损耗= I
O2
(R
SW
+ R
L
)
其他损失，包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损耗和电感磁芯损耗，一般占
比的总功率损耗的2％以下。
3602fb
R
A
图5a 。使用TRACK / SS引脚跟踪V
X
V
X
输出电压
V
OUT
时间
（ 5b）的比例跟踪
V
X
输出电压
V
OUT
3602 F05b ，C
时间
（ 5C ）同步跟踪
英法fi效率的思考
的开关稳压器的英法fi效率等于输出
电源的输入功率乘以100 ％分成。它往往是
分析单独损耗，以确定什么是有用
限制EF网络效率并改变会产生
最大的改进。英法fi效率可以表示为：
英法fi效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...）
其中， L1，L2等是个别的损失作为百分比
年龄的输入功率。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，有两个主要来源通常占多数的
损失： V
IN
工作电流和予
2
损失。
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