LT3761
应用信息
软启动电容的选择
对于许多应用来说，它以最小化是非常重要的
浪涌电流在启动。内置的软启动电路
显着地降低了启动电流尖峰和输出
电压过冲。从DIM / SS之间连接一个电容
连接到GND才能使用此功能。软启动间隔
按照由软启动电容的选择设置
公式：
T
SS
=
C
SS
1.2V
100s
=
C
SS
12A
nF
对于应用在高输入或输出电压工作，
电源开关通常被选择为漏极电压V
DS
评级和低栅极电荷Q
G
。考虑开关
导通电阻，R
DS （ ON）
，通常是次要原因
开关损耗占主导地位的功率损耗。该INTV
CC
法规
器上的LT3761具有一个固定的电流限制保护IC
从高V功耗过大
IN
的，所以场效应管
应选择使得Q的产物
G
在7.85V和
开关频率不超过INTV
CC
当前
极限。驱动LED要小心选择开关
A V
DS
等级超过阈值的FB引脚设置
在发生开路负载故障。所要求的功率MOSFET
V
DS
不同拓扑结构的等级可以使用估计的
下列公式加一个二极管的正向电压，并且
跨越其漏极到源极中的任何附加振荡
它的关断时间。
升压： V
DS
＆ GT ; V
LED
降压模式： V
DS
＆ GT ; V
IN （MAX）
SEPIC ，反相： V
DS
＆ GT ; V
IN （MAX）
+ V
LED
由于LT3761的栅极驱动器被从7.85V供电
INTV
CC
，在6V额定MOSFET非常适用于所有LT3761
应用程序。
谨慎的做法是测量MOSFET温度
稳定状态，以确保绝对最大额定值
不超标。
几个MOSFET厂商都列在表4中的MOSFET
用在应用电路中的本数据表有
已经发现，与LT3761很好地工作。向厂家咨询
申请其他推荐的MOSFET。
表4.推荐的功率MOSFET制造商
生产厂家
Vishay Siliconix公司
英飞凌
瑞萨
WEB
www.vishay.com
www.infineon.com
www.renesas.com
只要提供给没有额外的电流
DIM / SS引脚编程PWM的占空比
调光信号发生器。对于软启动的典型值
电容10nF的是它给出了一个1ms的启动时间。该
软启动引脚降低振荡器的频率和
在开关的最大电流。
软启动电容放电，如果后续之一
荷兰国际集团的事件发生：在EN / UVLO低于其阈值;
输出过流检测的ISP / ISN引脚;集成电路
过热;或INTV
CC
欠压。在开始 -
与EN / UVLO ，充电软启动电容是
第一个PWM周期高后启用。在启动
序，后切换是由PWM使能开关
ING一直持续到V
ISP- ISN
>为25mV或DIM / SS > 1V 。 PWM
该初创期间端子负边缘不
处理，直到这两个条件之一得到满足等等
该稳压器可在短期内达到稳定工作状态
之后， PWM调光开始。
功率MOSFET选择
评选标准为功率MOSFET包括
漏极 - 源极击穿电压（V
DS
） ，阈值
电压（V
GS （ TH）
） ，导通电阻（R
DS （ ON）
），则栅
到源极和栅极漏费（Q
GS
和Q
GD
），则
最大漏电流（I
D（最大）
）和MOSFET的热
电阻（R
θJC
, R
θJA
).
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