位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第2页 > LPC810M021FN8 > LPC810M021FN8 PDF资料 > LPC810M021FN8 PDF资料4第54页
恩智浦半导体
LPC81xM
32位ARM Cortex -M0 +微控制器
[3]
典型值标称模拟得到的（V
DD
= 3.3 V ;牛逼
AMB
= 27
C;
标称过程模型） 。
最高值是从最坏的情况下模拟得到的（V
DD
= 2.6 V ;牛逼
AMB
= 105
C;
缓慢的过程
型号） 。
最大值和最小值被从过程矩阵大量的四角样品进行测定。
[4]
V
DD
= 3.3 V
图33.典型的内部电压基准输出电压
13.3比较
表21.比较特点
V
DD
= 3.0 V和T
AMB
= 27
C除非另有说明。
符号
I
DD
V
IC
DV
O
V
OFFSET
参数
电源电流
共模输入电压
输出电压的变化
失调电压
V
IC
= 0.1 V
V
IC
= 1.5 V
V
IC
= 2.8 V
动态特性
t
启动
t
PD
启动时间
传播延迟
标称过程
前高后低; V
DD
= 3.0 V;
V
IC
= 0.1 V ; 50 mV的输入过驱动
V
IC
= 0.1 V ;轨到轨输入
V
IC
= 1.5 V ; 50 mV的输入过驱动
V
IC
= 1.5 V ;轨到轨输入
V
IC
= 2.9 V ; 50 mV的输入过驱动
V
IC
= 2.9 V ;轨到轨输入
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
条件
民
-
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
55
-
-
1.9
2.1
2.0
4
109
155
95
101
122
74
最大
-
V
DD
V
DD
-
-
单位
A
V
V
mV
mV
mV
静态特性
-
121
s
ns
164
105
108
129
82
ns
ns
ns
ns
ns
LPC81xM
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2013年保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2013年7月29日
54 71
