位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第2页 > LPC810M021FN8 > LPC810M021FN8 PDF资料 > LPC810M021FN8 PDF资料4第36页
恩智浦半导体
LPC81xM
32位ARM Cortex -M0 +微控制器
11.1功耗
在活动，睡眠和深度睡眠模式下的功率测量下进行
以下条件：
配置所有的引脚作为GPIO上拉电阻在IOCON块禁用。
配置GPIO引脚使用GPIO DIR寄存器输出。
写1到GPIO寄存器CLR来驱动输出低电平。
条件：T已
AMB
= 25
C;
主动模式进入执行代码
while(1){}
从闪存;所有外设
残疾人在SYSAHBCLKCTRL寄存器（ SYSAHBCLKCTRL = 0x1F的） ;所有外设时钟
禁用;内部上拉电阻器禁用; BOD禁用;低电流模式。
1兆赫 - 6兆赫：启用IRC ; PLL禁用。
12兆赫：启用IRC ; PLL禁用。
24兆赫：启用IRC ;使能PLL 。
图13.主动模式：典型电源电流I
DD
与电源电压V
DD
LPC81xM
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2013年保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2013年7月29日
36 71
