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LP3987
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SNVS164G - 2001年10月 - 修订2013年5月
订购信息
(1) (2)
DSBGA包装
输出电压
2.5V
2.6V
2.8V
2.85V
3.0V
(1)
(2)
性病
GRADE
LP3987提供250个单位
磁带和卷轴
LP3987ITL-2.5
LP3987ITL-2.6
LP3987ITL-2.8
LP3987ITL-2.85
LP3987ITL-3.0
LP3987提供3000单位
磁带和卷轴
LP3987ITLX-2.5
LP3987ITLX-2.6
LP3987ITLX-2.8
LP3987ITLX-2.5
LP3987ITLX-3.0
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
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包装图纸，热数据和符号可在
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
V
IN
V
EN
, V
模式
V
OUT
储存温度
ESD
(4)
(1) (2) (3)
0.3
至6.5V
0.3
至6.5V
0.3V
到（Ⅴ
IN
+ 0.3V)
≤
6.5
65°C
至+ 150°C
人体模型
机器型号
(5)
2KV
200V
255°C/W
最大功率耗散
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
θ
JA
（ DSBGA小凸起）
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系theTI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
人体模型是100pF电容通过1.5kΩ上排出。
绝对最大功耗取决于环境温度，并可以用下式来计算：P
D
= (T
J
-
T
A
)/θ
JA
，其中t
J
是结温度T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是结到环境的热阻。为
瞬间，若V
IN
在目标应用是4.2V和最坏情况下的电流消耗90毫安。因此P
MAX_DISSIPATION
= (4.2-2.7)*0.09
= 135MW 。与P
MAX_DISSIPATION
为135MW ，T
JMAX
是125°C ，更糟糕的情况下环境温度（ TA ）的目标应用是85°C ，
θ
JA
= （ 125-85 ） /0.135 = 296 ° C / W 。
(1) (2)
工作额定值
V
IN
V
EN
, V
模式
结温
V
OUT
+ 200mV的至6V
0至6.0V
40°C
至+ 125°C
(3)
最大功率耗散
(1)
(2)
(3)
392mW ，在25 ℃下
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
绝对最大功耗取决于环境温度，并可以用下式来计算：P
D
= (T
J
-
T
A
)/θ
JA
，其中t
J
是结温度T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是结到环境的热阻。为
瞬间，若V
IN
在目标应用是4.2V和最坏情况下的电流消耗90毫安。因此P
MAX_DISSIPATION
= (4.2-2.7)*0.09
= 135MW 。与P
MAX_DISSIPATION
为135MW ，T
JMAX
是125°C ，更糟糕的情况下环境温度（ TA ）的目标应用是85°C ，
θ
JA
= （ 125-85 ） /0.135 = 296 ° C / W 。
版权所有 2001至2013年，德州仪器
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