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LM136A-2.5QML
LM136A - 2.5QML电气特性
DC参数
以下条件适用,除非另有规定。
符号
I
ADJ
ΔV
Z
参数
当前的调整
达齐纳电压
I
R
= 1毫安
笔记
-125
最大
+125
6.0
10
2.465 2.515
2.44
2.39
2.29
2.49
(注
5)
(注
5)
V
Z
=调整到2.490V
2.54
2.49
2.49
2.69
0.6
1.0
18
单位
A
mV
mV
V
V
V
V
V
mV
SUB -
群体
1, 2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
1
2, 3
2, 3
条件
V
ADJ
= 0.7V
0.4mA
I
Z
10毫安
V
ADJ
=打开
V
Z
齐纳电压
V
ADJ
= 0.7V
V
ADJ
= 1.9V
Z
RD
V
反向动态阻抗
温度稳定性
DC漂移参数
三角洲计算在B组,只有小组5 QMLV设备上执行。
符号
参数
条件
V
ADJ
=打开
V
Z
齐纳电压
V
ADJ
= 0.7V
V
ADJ
= 1.9V
笔记
10
10
10
最大
+10
+10
+10
单位
mV
mV
mV
SUB -
群体
1
1
1
注2 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
功能,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低,当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注3 :
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
(最大结温)
θ
JA
(包
结到环境的热阻)和T
A
(环境温度) 。在任何温度下的最大允许功耗为:P
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/
θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字,以较低者为准。
注4 :
人体模型, 1.5kΩ的串联100pF的。
注5 :
参数测试复不走而已。
注6 :
前置和后置的照射范围是相同的下DC电气特性列出。这些部件可以是剂量率在空间敏感
环境,并且可以表现出增强的低剂量率的效果。对于所提到的参数辐射终点限制,仅在该条件保证
在MIL-STD- 883规定的,方法1019 。
注7 :
低剂量率的测试晶片由晶片的基础上被执行时,每试验方法MIL-STD- 883的1019条件D ,没有增强的低剂量
率敏感性( ELDRS )的效果。
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