ISL85415
T
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
IN
= 3V到36V，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C 。粗体
极限值适用于结温范围为-40 ° C至+ 125°C （续）
参数
符号
测试条件
民
（注8）
典型值
90
82.5
107
的软启动时间百分比
I
SINK
= 3mA电流， EN = V
CC
, V
FB
= 0V
I
SS
EN / SS = V
CC
T
SD
T
HYS
电流限制消隐时间
过电流和自动重启时期
正峰值电流限制
PFM峰值电流限制
过零阈值
负电流限制
INLIMIT
R
HDS
R
LDS
t
上升
（注7 ）
I
相
= 100mA时V
CC
= 5V
I
相
= 100mA时V
CC
= 5V
EN = PHASE = 0V
V
IN
= 36V
下降沿，逻辑低
上升沿，逻辑高
EN逻辑输入漏电流
SYNC逻辑输入漏电流
注意事项：
6.测试条件： V
IN
= 36V ， FB被迫上述规定点（ 0.6V ） ，无开关和功率MOSFET的栅极充电电流不包括在内。
7，成立由双方电流检测放大器增益测试和电流检测放大器输出测试@我
L
= 0A.
8.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
EN = 0V / 36V
SYNC = 0V
SYNC = 5V
-0.5
10
1.0
0.4
10
1
1.2
1.4
0.5
100
1.3
-0.46
t
OCON
t
OCOFF
IPLIMIT
I
PK_PFM
（注7 ）
0.8
0.26
阈值上升
迟滞
1.5
1.7
86
116.5
112
10
0.05
2
2.4
150
20
17
8
0.9
0.3
10
-0.40
450
250
-0.34
600
330
300
1
0.34
0.3
2.5
3.1
120
最大
（注8）
94
单位
%
%
%
%
%
V
A
ms
°C
°C
时钟
脉冲
SS周期
A
A
mA
A
mΩ
mΩ
nA
ns
V
V
A
nA
A
电气规格
电源良好
PG下限阈值 - VFB上升
PG下限阈值 - VFB下降
上PG阈值 - VFB上升
上PG阈值 - VFB下降
PG传播延迟
PG低压
跟踪和软启动
软启动充电电流
内部软启动斜坡时间
故障保护
热关断温度
功率MOSFET
高边
低端
相漏电电流
相上升时间
EN / SYNC
输入阈值
7
FN8373.2
2013年9月26日
