IR1166S
操作的状态
UVLO /睡眠模式
该IC保持在UVLO条件，直至电压
VCC引脚超过VCC开启阈值
电压，V
CC ON
.
的时间期间该IC保持在UVLO状态时，
栅极驱动器电路处于非活动状态，并在IC中绘制一个
我静态电流
CC开始
。欠压锁定模式
从操作时其他任何国家访问
VCC < V的IC的电源电压条件
CC UVLO
发生。
睡眠模式是通过拉动下面EN引脚启动
2.5V （典型值） 。在这种模式下，IC基本上关闭
并得出一个非常低的静态电源电流。
概述
该IR1166智能整流IC可以模拟
二极管整流器通过正确驾驶操作
同步整流（ SR ） MOSFET 。
整流后的电流的方向是由感测
用功率MOSFET R输入比较器
DSON
作为分流电阻和的GATE引脚
MOSFET驱动相应。
内部消隐逻辑用于防止杂散
在连续的过渡和担保业务
（ CCM ） ， discountinuous （ DCM ）和临界（临界模式）
导通模式。
V
门
普通模式
IC进入正常工作模式下，一旦
UVLO电压已经超过了。在这一点上
栅极驱动器运行和IC将以此为
最多我
CC
从电源电压源。
V
TH2
V
TH1
V
TH3
V
DS
输入比较器的阈值
操作的反激式电路的方式不同
主要是针对SR开关的关断阶段，而
辅助开关的导通相位（其
对应于关断初级侧开关的）
是相同的。
导通阶段
当启动SR FET的导通相位，
电流将开始流经它的体二极管，
产生负V
DS
两端的电压。身体
二极管具有比通常高得多的电压降
电阻引起的MOSFET的所述一个和
因此，将触发导通阈值V
TH2
.
在该点的IR1166将驱动MOSFET的栅极
关于这将反过来导致传导电压V
DS
地掉了下来。这个压降通常是由accompained
一定量的振荡，即可以触发输入
比较器关闭;因此，一个最小导通时间
（ MOT）的消隐期时，将保持
上的时间的最小量的功率MOSFET 。
编程MOT也将限制最小占空比
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