650V的CoolMOS E6功率晶体管
IPx65R190E6
最大额定值
2
最大额定值
at
T
j
= 25℃，除非另有规定。
表2
参数
连续漏电流
1)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
雪崩电流，重复性
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
的TO-220 ，TO- 247 ，TO- 262 ，TO- 263
功耗
的TO-220 FULLPAK
工作和存储温度
安装力矩
的TO-220 ，TO- 247
安装力矩
的TO-220 FULLPAK
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
3)
I
S
I
S，脉冲
dv / dt的
-
-
-
-
-
-
最大额定值
符号
分钟。
I
D
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
P
合计
T
j
,T
英镑
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-
-55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
20.2
12.8
66
485
0.73
3.5
50
20
30
151
34
150
60
50
17.5
66
15
500
A
A
V / ns的
A / μs的
°C
NCM
M3和M3.5螺丝
M2.5螺丝
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
V
DS
= 0 ... 400 V，I
SD
I
D
,
T
j
=25 °C
W
A
V / ns的
V
V
DS
=0...480 V
STATIC
AC（ f>1赫兹）
T
C
=25 °C
A
mJ
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 100°C
T
C
=25 °C
I
D
= 3.5 A，V
DD
=50 V
I
D
= 3.5 A，V
DD
=50 V
单位
注/测试条件
最大的二极管整流
di
f
/ DT
3)
速度
1 ）通过有限
T
，最大值
最大占空比D = 0.75
2 ）脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
3 ）相同的偏低和具有相同的高边开关
R
G
最终数据手册
4
2.0版本， 2011-05-13
