操作模式和片上存储器
的地址，读/写，和AS信号是活动的，适用于所有的总线周期，包括访问到内部
存储器位置。 E时钟，用来使能外部设备来驱动数据到内部数据总线
在读总线周期（E时钟的高点）的后半部分。 R / W控制数据传输的方向。读/写
驱动低时数据被写入到内部数据总线。 R / W将在连续的数据保持低位
总线写周期中，当一个双字节商店发生如。
请参阅
图2-1 。
记
写使能信号，外部存储器是电子时钟的NAND
和反相R / W信号。
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PB2
PB1
PB0
HC373
PC7
PC6
PC5
PC4
PC3
PC2
PC1
PC0
AS
读/写
E
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
LE
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
OE
ADDR15
ADDR14
ADDR13
ADDR12
ADDR11
ADDR10
ADDR9
ADDR8
ADDR7
ADDR6
ADDR5
ADDR4
ADDR3
ADDR2
ADDR1
ADDR0
WE
OE
DATA7
DATA6
DATA5
DATA4
DATA3
DATA2
DATA1
DATA0
MCU
图2-1 。地址/数据解复用
2.2.3测试模式
测试模式中，经扩展模式的变化，主要是Freescale的内部生产过程中使用
测试;但是，它是用于编程的配置（CONFIG）寄存器，编程访问
校准数据转换成电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） ，和支撑
在开发过程中仿真和调试。
2.2.4自举模式
当MCU在特殊的启动模式复位，一个小片上的只读存储器（ROM）已启用
地址$ BF00- $ BFFF 。该光盘包含了bootloader程序和一组特殊的中断和
复位向量。 MCU取出复位向量，然后执行引导程序。
自举模式的单芯片模式的特殊变化。引导模式让特殊用途
程序被输入到内部的随机存取存储器（RAM） 。当选择引导方式
在复位时，一个小的引导ROM变成存在于所述存储器映射。复位和中断向量
M68HC11E系列数据手册，版本5.1
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飞思卡尔半导体公司
