概述
记
IRQ必须被配置为电平敏感操作，如果有一个以上
IRQ的一个来源中断。
应该有近单片机中断输入引脚（通常为4.7千欧）的单一拉电阻。必须有
也可以在每个中断源的联锁机构，以使源保持中断线路低
直到MCU识别和响应中断请求。如果一个或一个以上中断源
仍在等待后， MCU服务的请求，中断线路将仍然保持为低电平，单片机会
只要在MCU的中断屏蔽位被清零（通常在从一个返回再次中断
中断） 。请参阅
第5章复位和中断。
V
PPE
可输入所需的EPROM / OTPROM 12伏标称的编程电压
编程。在没有EPROM / OTPROM设备，该引脚只是XIRQ输入。
小心
在MC68HC711E9设备中，V的EPROM编程
PPE
针
电路可以闭锁和如果输入电流不限于被损坏
10毫安。欲了解更多信息，请参见MC68HC711E9 8位
微控制器单元面膜套装勘误表3 （飞思卡尔文件序号
68HC711E9MSE3.
1.4.7 MODA和MODB （ MODA / LIR和MODB / V
STBY
)
在复位过程中， MODA和MODB选择四种工作模式之一：
单芯片模式
扩展模式
测试模式
引导模式
请参阅
第2章运行模式和片上存储器。
之后的操作模式已被选择时，负载指令寄存器（ LIR）的引脚提供一个漏极开路
输出，以指示指令的执行已经开始。一系列的电子时钟周期期间出现
执行每一条指令。该LIR信号变为低电平时每个指令的第一个电子时钟周期
（操作码获取） 。这个输出被提供用于在程序调试的援助。
在V
STBY
引脚用于输入随机存取存储器（RAM）中的备用电源。当此电压
销是一个以上的MOS的阈值（大约0.7伏）以上的V
DD
电压，内部RAM和部分
复位逻辑的从该信号，而不是在V供电
DD
输入。这使得RAM的内容是
保留不V
DD
电源接通MCU 。复位必须V之前被拉低
DD
除去和
必须保持为低电平，直到V
DD
已经恢复到有效电平。
1.4.8 V
RL
和V
RH
这两个输入端提供参考电压的模拟 - 数字（A / D）转换器电路：
V
RL
是低基准，通常为0伏。
V
RH
是高参考。
对于正确的A / D转换器的操作：
V
RH
至少应为3伏大于Vout
RL
.
V
RL
和V
RH
应该是V之间
SS
和V
DD
.
M68HC11E系列数据手册，版本5.1
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飞思卡尔半导体公司
