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6AHighlyIntegratedSupIRBuck
TM
输出电容的选择
选择输出电容的要求会议
在负载移除电压过冲的要求，并
会议稳态输出纹波电压的要求。
输出电容是最昂贵的转换器
成分，并增加了整个系统的成本。
输出电容去耦的转换器通常
包括低频电容器，如特
高分子铝，和中高频瓷介电容器。
输出电容器的第一目的是提供一种电流
当负荷需求超过了电感电流
asshowninFigure28.Equation7showsthecharge
为一个特定的负载工序。优势
providedbytheIR3473ataloadstepisthereduceddelay
相比于一个固定的频率控制方法。如果
负荷增大时，右后的PWM信号变为低电平时，该
最长延迟将等于最小的低栅
导通时间，如图中的电气规格部分。
TheIR3473alsoreducestheinductorcurrentslewtime,
它需要的电感电流达到平等的时间
与输出电流，通过增加开关
frequencyupto1/(T
ON
+最小关闭时间） 。这导致
缩短恢复时间。
负载
当前
IR3473
VESRisusuallymuchgreaterthanVESL.TheIR3473
需要一个总的ESR ，使得在脉动电压
FBpinisgreaterthan7mV.
输出电容器的第二个目的是最大限度地减少
输出电压的过冲，当负载
decreasesasshowninFigure29.Byusingthelawof
energybeforeandaftertheloadremoval,equation8
示出了输出电容为一个负载
下台。
V
OUT
V
OS
V
降
V
L
V
ESR
I
OUT
I
步
图29 ：典型输出电压响应波形
C
OUT
L
I
第2步
=
(8)
2
2
V
OS
V
OUT
I
步
产量
收费
感应器
SLEW
率
启动电容的选择
启动电容器启动完全充电到一个周期
voltageofVB(0).Cgequals0.58nFinIR3473.Choosea
sufficientlysmallΔVsuchthatVB(0)‐ΔVexceedsthe
最大栅阈值电压以接通上
MOSFET。
Δt
t
V (0)
C
BOOT
=
C
g
B
1
(9)
ΔV
图28 ：在负载阶跃收费要求
Q
=
C
V
=
0.5
I
步
Δ
t
1
(7a)
1 L
I
第2步
C
OUT
=
(7b)
V
降
2
(
V
IN
V
OUT
)
的输出电压降，V
降
最初依赖于
输出电容器的特性。 V
降
是的总和
等效串联电感的输出（ ESL）的
输出电流的变化的电容器倍的速度
和血沉倍的输出电流的变化。
选择比计算得到更大的启动电容值
C
BOOT
inequation9.Equation9isbasedonchargebalance
在CCM工作模式。通常情况下，启动电容将
排出到一个低得多的电压时，电路是
在轻负载在DCM模式时，由于更长的时间
下MOSFET关断时间和偏置电流由拉伸
IC 。启动电容的需要，如果不够可以增加
导通的上MOSFET的在轻负载时观察到的，
typicallylargerthan0.1Fisneeded.Thevoltageratingof
thispartneedstobelargerthanVB(0)plusthedesired
降额电压。它的ESR和ESL的需要是低的，以便
以允许其提供大电流和di / dt的哪
最有效地驱动MOSFET 。为了支持这些
要求的陶瓷电容器，应选择。
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March27,2013|V2.2|PD97601
