DCP02系列
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SBVS011K - 2000年3月 - 修订2008年2月
去耦陶瓷电容器
所有电容都由于内部损耗
等效串联电阻（ESR ） ，以及在较小的
度，等效串联电感（ESL ） 。值
为ESL并不总是容易得到。不过，
一些厂商提供的频率曲线图
与电容的阻抗。这些图形通常
表示电容器的阻抗下降，因为频率是
增加（如图
图10）。
随着频率
增加时，阻抗停止减小并
开始上升。阻抗最小的点
表示电容器的谐振频率。
这个频率是其中的各个部件
电容和电感的电抗是相等
震级。超过该点时，电容器是不
有效地作为电容器。
Z
输入电容和ESR的影响
如果输入去耦电容是不是陶瓷
<20mΩ血沉，然后在瞬间的功率晶体管
开机，在输入电压引脚瀑布
短暂。如果电压低于
大约4V，将DCP检测欠压
条件和切换DCP驱动电路向
关闭状态。这种检测是作为一种预防措施
对一个真正的低输入电压条件下，
可能会减慢甚至停止内部电路
从正常运行。放缓或停止
会导致驱动器晶体管导通
变压器的时间过长，使饱和度和
破坏的装置。
下面检测的低输入电压条件下，
该装置将关闭内部驱动电路，直到
输入电压返回到一个安全值。然后，
设备会尝试重新启动。如果输入电容仍是
无法保持输入电压，关断
再次出现。这个过程被重复，直到电容是
收取足够正确启动设备。
否则，该设备将被卷入了一个循环。
正常启动应该发生在约1毫秒
从电源施加到该设备。如果一个
相当长的启动持续时间为
遇到的，它是可能的（或两者）的输入
电源或电容器不执行
充分的。
对于5V至15V的输入设备，一个2.2μF的低ESR
陶瓷电容，确保了良好的启动
性能。对于其余的输入电压范围，
0.47μF的陶瓷电容建议。
钽电容不推荐的，因为
大多数不具备低ESR值，并会降低
性能。如果钽电容必须使用，
密切一定要注意两者的ESR和
电压作为由厂商降额。
输出纹波计算示例
DCP020505 ：输出电压5V ，输出电流0.4A 。
在满功率输出，负载电阻为12.5Ω 。产量
1μF电容， 0.1Ω的ESR的。电容放电
时间在800kHz （纹波频率）的1 ％ ：
t
DIS
= 0.0125s
τ
= C
×
R
负载
τ
= 1
×
10
-6
×
12.5 = 12.5s
V
DIS
= V
O
（ 1 - EXP （ -t
DIS
/τ))
V
DIS
=为5mV
与此相反，在电压下降了，因为ESR的：
V
ESR
= I
负载
×
ESR
V
ESR
= 40mV以内
纹波电压= 45mV
X
C
X
L
0
Z =
(X
C
-
X
L
)
2
+（ ESR）的
2
其中：
X
C
是由于这样的静电电容的电抗。
X
L
是由于在ESL的电抗。
f
O
是谐振频率。
f
O
频率
图10.电容的阻抗与频率
在f
O
, X
C
= X
L
;然而，有一个180°的相
差异导致取消虚的
组件。所得的效果是，阻抗
在谐振点是复杂的实数部分
阻抗;即，所述ESR的值。该
谐振频率必须是良好的800kHz的上述
切换DCP和DCV值的频率。
所述ESR的效果是引起的电压降
内的电容器。这个电压降的值是
血沉的简单的乘积和的瞬时负载
当前，如图所示：
V
IN
= V
PK
- （ ESR
×
I
TR
)
(1)
其中：
V
IN
是在设备输入端的电压。
V
PK
是在该电压的最大值
充电过程中电容。
I
TR
是瞬态负载电流。
是影响性能的另一因素是
的静电电容的值。然而，对于输入和
全波输出（单输出电压的设备） ，
ESR是主导因素。
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