L6928D
4.1.2低噪声模式
如果为噪声的原因，低功耗模式的非常低的频率是不理想的，低噪声模式
可以选择的。在低噪声模式，效率低一点有低功耗模式相比
在非常轻的负载情况，但对于中 - 高负荷电流效率值都十分相似。
基本上，该设备将具有1.4MHz的其内部自由运行频率。显然，在非常轻的负载
的条件下，该装置可以跳过一些周期，以保持输出电压处于调节。
4.1.3同步
该设备还可以与从1MHz外部信号高达2MHz同步。
在这种情况下，低噪声模式被自动选择。该装置最终将跳过一些周期非常
轻负荷的情况。
内部同步电路被禁止在短路和过压的条件，以保持所述
有效的保护（见相关章节） 。
4.2短路保护
在设备运转时，高压侧接通相位和下降期间，电感器电流增加
高侧时关闭阶段基于以下等式：
(
V
IN
–
V
OU牛逼
)
-
I
0：N
= ----------------------------------
T
0：N
L
(
V
OUT
)
-
I
FF
= ------------------
T
FF
L
在强大的过流或短路条件下的V
OUT
可以非常接近于零。在这种情况下
I
ON
增加
和
I
关闭
减小。当电感峰值电流达到电流限值时，高边MOSFET关闭
等的T
ON
减小到最小值（ 250ns的典型值） ，以减少尽可能
I
ON
.
无论如何，如果V
OUT
是足够低的也可以是电感器的峰值电流的进一步增加，因为在
T
关闭
当前衰减很慢。
由于这个原因，修复了最大电感谷值电流已经推出了第二保护。这
保护不使高侧MOSFET开启，如果流过电感器的电流是高
一个指定的阈值（谷值电流限制） 。基本的T
关闭
增加多达带来所需
电感电流下降到这个门槛。
所以，最大峰值电流在最坏的情况下将是：
V
IN
-
I
PEAK
=
I
VALL EY
+ --------
T
ON_MIN
L
其中IPEAK是谷电流限制（ 1.4A典型值）和T
ON_MIN
是最小
ON
高边MOSFET 。
4.3斜率补偿
在电流模式的体系结构中，当该应用程序的工作周期大于约50 ％时，一个脉冲 -
通过脉冲的不稳定性（即所谓的亚谐波振荡）可能发生。
允许环路稳定性也在这些条件下的斜率补偿的存在。这是通过减少所实现的
电流流过所必需的电感器来触发COMP比较器（具有用于在COMP的固定值
引脚电压） 。
与给定的占空比高于50％时，稳定性问题尤其存在具有较高的输入电压
（由于增加的电流纹波电感两端的），所以斜率补偿效果随着输入
电压升高。
从应用的角度来看，最终的效果是，该峰值电流限制的占空比取决于两者（如果
高于约40％）和对输入电压。
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