TFDU5107
威世半导体
光电特性
T
AMB
= 25 ° C，V
dd1
= 2.4 3.6V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
接收器
最低探
阈值的辐射SIR
9.6 kbit / s到115.2 kbit / s的* ）
最低探
辐照度阈值
9.6 kbit / s到1.152兆位/秒* ）
最大探测
辐照度阈值
|α|
≤ ±15°
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V
|α|
≤ ±15°
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V
|α|
≤ ±90°
V
dd1
= 5 V
|α|
≤ ±90°
V
dd1
= 3 V
逻辑低接收器输入
辐射
输出电压RXD
活跃
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
非活跃
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
输出电流RXD
V
OL
＆ LT ; 0.8 V
上升时间@Load ：
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
下降时间@Load ：
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
RXD信号的电
输出脉冲宽度
潜伏期
*)
RXD输出脉冲的持续时间400纳秒
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
t
r
t
f
t
p
t
L
20
20
300
400
100
E
E，分
20
35
毫瓦/米
2
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
E
E，分
50
80
毫瓦/米
2
E
E，最大
E
E，最大
E
E，最大值，低
V
OL
V
OH
3300
8000
4
5000
15000
瓦/米
2
瓦/米
2
毫瓦/米
2
0.5
V
逻辑
–0.5
0.8
V
V
4
70
70
500
200
mA
ns
ns
ns
s
文档编号82534
A1.4版本， 01 -NOV- 02
www.vishay.com
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