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BDxxGA5WEFJ
“权力
耗散
◎HTSOP-J8
4.0
数据表
⑤3.76W
测量条件：安装在ROHM板
基板尺寸： 70毫米
×
70mm
×
1.6mm
（基板与散热孔）
*焊接
散热垫对地
①
只有IC
θj-a=249.5℃/W
②
1层（铜箔是： 0毫米× 0毫米）
θj-a=153.2℃/W
③
2层（铜箔是：15毫米× 15米）
θj-a=113.6℃/W
④
2-层（铜箔是： 70毫米X30 70毫米）
θj-a=59.2℃/W
⑤
4层（铜箔是： 70毫米X30 70米）
θj-a=33.3℃/W
功耗： PD [ W]
3.0
④2.11W
2.0
③1.10W
1.0
②0.82W
①0.50W
0
0
25
50
75
100
125
150
环境
周囲温度：钽
[℃]
：钽[ ℃ ]
温度
热设计应确保满足以下条件范围内操作。需要注意的是所列出的温度在允许的
温度限制和热设计应留有充分的余量超出这些限制。
1.环境温度Ta不能超过85 ℃。
2.芯片结温（Tj ）不能超过150 ℃。
芯片结温可如下确定：
根据环境温度的计算（ Ta）的
TJ = TA + θJ -A ×宽
参考
值\u003e
θJ -A ：
HTSOP - J8 153.2 ℃ / W 1层基材（铜箔密度0毫米× 0毫米）
113.6 ℃ / W 2层基材（铜箔密度型15mm x 15mm ）
59.2 ℃ / W 2层基材（铜箔密度70毫米X30 70毫米）
4层基板（铜箔密度70毫米X30 70毫米）
33.3℃/W
基板尺寸： 70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米（基板热
大多数发生在BDxxGA5WEFJ系列的热损失从输出P沟FET的生成。功率损耗是
通过将总V确定
CC
-V
O
电压和输出电流。一定要确认系统的输入和输出电压，
输出电流的条件相对于V形的散热特性
CC
和V
O
在设计中。轴承
介意散热可能会发生变化基本上取决于所采用的衬底上（由于电源包
在并入
BDxxGA5WEFJ做出一定因素，如基板尺寸为热设计条件。
功耗[W] =输入电压（V
CC
） - 输出电压（V
O
)
例），其中V
CC
=5.0V, V
O
= 3.3V ，我
O
（ AVE） = 0.1A ，
消耗功率[W] = 5.0V - 3.3V
×0.1A
=0.17[W]
×I
O
（ AVE ）
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7.Feb.2013 Rev.002
