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BA00DD0xx系列BA00CC0xx系列
“权力
耗散
HRP5
10
9
8
功率耗散钯（ W）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
125
150
0
0
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
125
板尺寸： 70 × 70 × 1.6
㎜ （板
包含热）
2
前面板上铜箔面积： 10.5 × 10.5
㎜
2
①2-layer
板（背面铜箔面积： 15 ×15
㎜
)
2
②2-layer
板（背面铜箔面积： 70 × 70
㎜
)
2
③4-layer
板（背面铜箔面积： 70 × 70
㎜
)
3
数据表
TO220FP-5
To225FP-5
25
（1）
（2）
当使用最大热生病：
θj-c=6.25(℃/W)
当单独使用IC ：
θj-c=62.5(℃/W)
20
（1）20.0
功率耗散钯（ W）
15
③7.3W
②5.5W
10
①2.3W
5
（2）2.0
150
Fig.28
Fig.29
TO252-5
2.0
安装在罗门哈斯标准板
板尺寸： 70 × 70 × 1.6
㎜
铜箔面积： 7 × 7
㎜
TO252-5θja=96.2(℃/W)
1.6
功率耗散钯（ W）
1.2
1.30
0.8
0.4
0.0
0
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
125
150
Fig.30
当在高温使用过的Ta = 25℃ ，请参阅热量减少至30如图28所示的特性。
该集成电路的特性密切相关，在该集成电路中所用的温度，因此，它操作的集成电路在必要
温度低于最大结温Tj
最大
.
图29示出了TO220FP包被示出的部分的可接受的损耗和热还原特征
对角线是能够与IC单独使用的可接受损失范围。甚至当环境温度Ta是一个
常温（ 25 ℃ ） ，芯片（结）温Tj可能会相当高，所以请操作IC温度
比上可接受的损失钯以下。
VCC：输入电压
计算方法的功率消耗邮编（W）如下：
VO =输出电压
IO：负载电流
ICCA ：电路电流
PC = （VCC - VO） × IO +的Vcc × ICCA
可接受的损失Pd≥Pc
为了在可接受的损耗内操作解决该负载电流Io ，
IO ≦钯 - 的Vcc × ICCA
VCC-武
（请
参考图8和20 ICCA ）。
这样，就可以找到的最大负载电流Io
最大
相对于所施加的电压Vcc在热设计的时间。
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