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AT90S1200
3.如果一个芯片擦除执行（必须做擦除Flash ） ，等待吨
WD_ERASE
该指令后，向RESET提供一个正脉冲，并从第2步开始。
请参阅表21吨47页
WD_ERASE
值。
4， Flash或EEPROM编程一个字节的时间通过提供
地址和相应的写指令的数据在一起。一个EEPROM
之前有新数据写入存储器位置被自动擦除。等待
t
WD_PROG
后发送该指令。在擦除设备，没有美元的农民田间学校
数据文件（多个）需要被编程。请参阅表22吨47页
WD_PROG
值。
5.任何一个存储单元可以通过使用读指令返回被验证
在所选地址内容在串行输出MISO （ PB6 ）引脚。
在编程会话结束时，可以将RESET拉高开始去甲
MAL操作。
6.电源关闭顺序（如果需要） ：
设置XTAL1为“0” （如果晶体不使用或装置从内部运行
RC振荡器） 。
设置重置为“ 1 ” 。
打开V
CC
切断电源。
数据轮询的EEPROM
当一个字节被编程到EEPROM中，读出的地址位置
的内容将得到的值P1 ，直到自动擦除完成时，然后将
值P2 。参见表18为P1和P2的值。
当时，该设备已经准备好了新的字节的EEPROM ，设定值会读
正确。这被用来确定何时下一字节可以被写入。这是不行的
为值P1和P2 ，因此，当编程这些值，则用户将不得不等待
至少在预定的时间
t
WD_PROG
前编程的下一个字节。请参阅表22
为
t
WD_PROG
值。由于全片擦除设备中包含$ FF的所有位置，编程
这是为了包含$ FF，地址可以被跳过。这不，如果适用
EEPROM重新编程，而不第一个芯片擦除的设备。
表18 。
回读期间EEPROM轮询值
部分
AT90S1200
P1
$00
P2
$FF
数据轮询闪存
当一个字节被编程到闪存，读取此地址为
内容将得到价值$ FF 。当时，该设备已经准备好一个新的字节，则
编程值可以正确读出。这被用来确定何时下一个字节可以
被写入。这不会对价值$ FF工作，所以在编程这个值，
用户将不得不等待至少吨
WD_PROG
前编程的下一个字节。作为一个芯片级
擦除设备中包含$ FF在所有地点，地址编程的意
含有$ FF ，可以跳过。
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0838H–AVR–03/02
