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位1 - EEWE ： EEPROM写使能
EEPROM写使能信号（ EEWE ）是写选通到EEPROM中。当
地址和数据的设置是否正确， EEWE位必须设置为写入值成
EEPROM中。当写访问时间（通常为2.5 ms的V
CC
= 5V和4毫秒
V
CC
= 2.7V ）已过， EEWE位由硬件清零（零） 。用户软
洁具可以查询该位，并等待一个零写入下一个字节之前。当EEWE有
被置位， CPU停止两个时钟周期的下一条指令执行之前。
位0 - EERE ：EEPROM读使能
EEPROM的读使能信号（ EERE ）是读选通到EEPROM中。当
正确的地址设在寄存器EEAR的EERE位必须设置。当
EERE位被清除（零）通过硬件，要求在EEDR寄存器被发现的数据。
EEPROM读取只需要一条指令，也没有必要轮询EERE
位。当EERE已定， CPU会从下一条指令之前，停止4个时钟
灰被执行。
注意：如果一个中断程序操作EEPROM的中断另一个EEPROM
操作，EEAR或EEDR寄存器可能被修改，引起EEPROM
访问失败。建议具有全局中断标志被清除时
EEPROM的写操作，以避免这些问题。
防止EEPROM
腐败
在低V的时期
CC
， EEPROM中的数据可以被破坏，因为电源电压
年龄过低，CPU和正确操作的EEPROM中。这些问题都是
一样使用EEPROM板级系统和相同的设计方案
应适用。
一个EEPROM数据损坏有两种情况引起，当电压过高
低。首先，常规的写序列到EEPROM需要一个最小的电压，以
正确操作。其次， CPU本身可以当执行指令不正确，
电源电压用于执行指令的太低。
EEPROM数据损坏的问题可以通过以下设计recommen-
dations （一个就足够了） ：
1.保持在供电不足的时期AVR RESET信号（低）
电压。这是最好的一个外部的低V做
CC
重置保护电路，经常
被称为欠压检测器（ BOD） 。请参考应用笔记AVR
180关于设计考虑上电复位和低电压
检测。
2.保持AVR内核处于掉电休眠模式下的低V时期
CC
。这
将防止CPU解码并执行指令，有效
地保护EEPROM寄存器被无意识。
3.存储常量在闪存中，如果有能力改变从内存中的内容
不是必需的软件。闪速存储器不能由CPU进行更新，并且将
不受损坏。
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AT90S1200
0838H–AVR–03/02
